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EDE1104AASE ， EDE1108AASE
指令操作
命令真值表
在DDR2 SDRAM识别由/ CS指定下面的命令， / RAS ， / CAS ， / WE和地址引脚。
CKE
功能
模式寄存器设置
扩展模式寄存器设置
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
符号
太太
EMRS
REF
自
SELFX
上一页电流
周期
周期
/ CS
H
H
H
H
L
L
单个组预充电
预充电所有银行
银行激活
写
写带自动预充电
读
阅读与自动预充电
无操作
设备取消
掉电模式进入
PRE
PALL
法案
WRIT
WRITA
读
READA
NOP
DESL
PDEN
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
掉电模式退出
PDEX
L
L
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
×
×
L
L
H
H
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
H
L
/ RAS / CAS / WE
L
L
L
L
×
H
L
L
L
H
H
H
H
H
×
×
H
×
H
L
L
L
L
×
H
H
H
H
L
L
L
L
H
×
×
H
×
H
L
L
H
H
×
H
L
L
H
L
L
H
H
H
×
×
H
×
H
BA0来
BA2
A13到
A11
A10
A0到
A9
笔记
1
1
1
1
1, 6
BA0 = 0和MRS OP码
BA0 = 1和EMRS OP代码
×
×
×
×
BA
×
BA
BA
BA
BA
BA
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
L
H
×
×
×
×
×
×
1, 2
1, 7
1, 2, 8
行地址
L列
H列
L列
H列
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
塔1 ，2，3
塔1 ，2，3
塔1 ，2，3
塔1 ，2，3
×
×
×
×
×
×
1, 4
1
1
1, 4
备注： H = VIH 。 L = VIL 。
×
= VIH或VIL
注： 1.所有DDR2命令是由/ CS状态定义， / RAS ， / CAS ， / WE和CKE在的上升沿
时钟。
2.银行选择（ BA0 ， BA1和BA2 ） ，确定哪些银行在被操作。
3，突发读取或写入不应该被终止除指定为
“读
通过在一个浏览“中断
突发读取命令[读取]或
写道：“
在突发写入指令[ WRIT ]写“打断。
4.掉电模式并不执行任何刷新操作。因此断电的持续时间是
受限于器件的刷新要求。一个时钟的延迟需要模式的进入和退出。
5. ODT的状态不会影响在该表中所描述的状态。 ODT的功能是不可用
在自刷新。
6.自刷新退出是异步的。
7.8银行设备prechage所有津贴
:
激进党的prechage为8银行设备中的所有命令将等于
（TRP
+
1)
×
TCK，其中tRP的是针对单个组预充电值。
8.8银行设备顺序银行激活限制
:
不超过4个银行可能在轧制被激活
4
×
TRRD
+
2
×
TCK窗口。 TRRD必须转换为时钟4和前相乘之前的
加入2
×
TCK 。转换时钟通过将TRRD （ NS ）通过TCK （ NS ），并四舍五入到下完成的
整数值。
数据表E0404E20 （版本2.0 ）
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