IXTA102N15T IXTH102N15T
IXTP102N15T IXTQ102N15T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
(TO-220)
（ TO-3P & TO-247 ）
0.50
0.25
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25A
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
= 0.5
I
D25
R
G
= 3.3Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
50
80
5220
685
95
20
14
25
22
87
23
31
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.33
° C / W
° C / W
° C / W
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 51A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 75V, V
GS
= 0V
97
8.4
409
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
102
400
1.3
A
A
V
ns
A
nC
注1 ：
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
