沟槽栅
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
TO- 263 （ IXTA ）
TO- 247 （ IXTH ）
IXTA102N15T
IXTH102N15T
IXTP102N15T
IXTQ102N15T
的TO-220 （ IXTP ）
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 150V
= 102A
≤
18mΩ
Ω
TO-3P （ IXTQ ）
G
S
（ TAB ）
G
D
S
（ TAB ）
G
S
（ TAB ）
G
D
S
（ TAB ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
LRMS
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
铅电流限制， RMS
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
175°C
T
C
= 25°C
最大额定值
150
150
±
20
±
30
102
75
300
51
750
10
455
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nmlb.in.
N /磅。
g
g
g
g
特点
国际标准封装
额定雪崩
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料体10秒
安装力矩
安装力
TO-263
TO-220
TO-3P
TO-247
（ TO-220， TO-3P ，TO- 247 ）
(TO-263)
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
5.5
6.0
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
150
3.0
5.0
10..65/2.2..14.6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
V
V
±
200 nA的
5
μA
250
μA
18 mΩ
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2008 IXYS公司，保留所有权利。
DS99661B(10/08)
