2N5551 / MMBT5551 - NPN通用放大器
典型性能特性
（续）
BV
CER
- 击穿电压（ V）
260
h
FE
- 小信号电流增益
发射基之间
I
C
= 1.0毫安
VS集电极电流
16
FREG = 20 MHz的
V
CE
= 10V
240
220
200
180
160
0.1
12
8
4
1
10
100
1000
0
电阻（K
Ω
)
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
图7.集电极 - 发射极击穿电压
与发射极 - 基极之间电阻
700
图8.小信号电流增益与集电极
当前
P
D
- 功耗（MW ）
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
SOT-23
TO-92
图9.功耗与环境
温度
2009仙童半导体公司
2N5551 / MMBT5551版本1.1.0
5
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