2N5551 / MMBT5551 - NPN通用放大器
典型性能特性
250
125 C
100 C
200
o
o
V
CE
=5V
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极电压[ V]
10
?
10
h
FE
- 直流电流增益
75 C
150
o
1
β
100 C
o
25 C
100
o
125 C
o
-40 C
50
o
0.1
-40 C
0.01
1
o
25 C
o
75 C
o
0
1
10
100
1000
10
100
I
C
- 集电极电流[mA ]
I
C
- 集电极电流[mA ]
图1.典型的脉冲电流增益与集电极
当前
1.0
图2.集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
1.2
V
BE （ SAT ）
- 基极发射极电压（V）
V
BE（上）
- 基极发射极电压（V）
β
-40
o
C
0.8
1.0
T
A
= -40 C
T
A
= 25 C
o
o
25 C
o
0.8
0.6
125 C
100 C
75 C
o
o
o
0.6
T
A
= 75 C
T
A
= 100 C
o
o
0.4
0.4
T
A
= 125 C
o
0.2
0.2
1
10
100
0.0
1
10
100
1000
I
C
- 集电极电流[mA ]
I
C
- 集电极电流[mA ]
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
图4.基射极电压上与集电极
当前
100
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
50
V
CB
= 100V
电容[ pF的]
10
10
C
IB
C
OB
1
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Ω
反向偏置电压[V]的
图5.集电极截止电流与环境
温度
图6.输入和输出电容与反向
电压
2009仙童半导体公司
2N5551 / MMBT5551版本1.1.0
4
www.fairchildsemi.com
