FDZ372NZ N沟道1.5 V指定的PowerTrench
薄WL -CSP MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 260℃ / W
o
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.01
0.001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图12.结至环境瞬态热响应曲线
2010仙童半导体公司
FDZ372NZ Rev.C2
5
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