FDZ372NZ N沟道1.5 V指定的PowerTrench
薄WL -CSP MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
12
归
漏极至源极导通电阻
2.0
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
V
GS
= 1.5 V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 1.8 V
8
1.5
V
GS
= 2 V
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 1.5 V
4
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.0
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 3 V
V
GS
= 4.5 V
0
0.0
0.5
0
4
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0.5
1.0
1.5
8
12
V
DS
,
漏源极电压（ V）
I
D
,
漏电流（ A）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
200
源导通电阻
(
m
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 2 A
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ON ） ，
漏
150
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
= 2 A
100
T
J
= 125
o
C
50
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
0.0
1.5
3.0
4.5
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
12
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
V
GS
= 0 V
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5 V
8
T
J
=
150
o
C
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
4
T
J
= -55
o
C
0.01
T
J
= -55
o
C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2010仙童半导体公司
FDZ372NZ Rev.C2
3
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