UCC2585
UCC3585
SLUS304F - 1999年7月 - 修订2005年1月
应用信息
VIN的旁路电容的选择
陶瓷电容必须在整个使用VIN至GND上UCC3585 。这个电容提供瞬时
所需的电流来接通和关断两个功率MOSFET。选择足够高的电容是很重要的
值，以保持所述峰 - 峰纹波电压VIN的低于100毫伏。最大的峰 - 峰值纹波VIN
是有些随意，并且100毫伏用作估计。知道了P沟道总栅极电荷，Q
P
和
对于N沟道MOSFET中，Q的总的栅极电荷
N
的最小电容，可以发现：
C
VIN （MIN）
+
Q
)
Q
P
N
100毫伏
Q的估计值
P
可以发现，从制造商的数据手册曲线栅极电荷VS栅 - 源
电压。由于N沟道MOSFET切换横跨它基本上是零伏特，更好的估计
Q
N
通过乘以与输入电容C发现
国际空间站
和V
IN
电压。因为C
国际空间站
是依赖于电压，
重要的是要使用C
国际空间站
值约为零伏漏源极。这给出了更准确的
估计N-沟道栅极上的电荷。
功率MOSFET驱动器
该UCC3585包含两个高电流功率MOSFET驱动器。源和接收器的电流能力
这些驱动程序已经尺寸允许的操作，无需外部栅极电阻。 P-沟道驱动器具有
大约三倍强源比吸收电流的电流。这种故意减慢turnon
的P沟道MOSFET ，从而降低了N沟道MOSFET的体二极管的反向恢复单元。
N沟道驱动器具有更强的吸收电流比源电流有助于保持N沟道
MOSFET关断时， P沟道MOSFET导通。添加来自NDRV栅极电阻的N沟道
MOSFET的栅极，使N型沟道到的dV / dt引起的turnon更敏感，应当避免。该
MOSFET驱动器具有较低的电阻VIN = 5 V相比， VIN = 3.3 V在VIN = 5V时，司机
在车辆规定的电阻的约60％ = 3.3伏之间。
工作在宽VIN范围
它可以设计UCC3585基于供应到两个3.3 V和5 V输入范围的操作结束。该
导致V
IN
范围可以宽在3.0 V至5.5 V.对于一个成功的设计，一些设计必须采取措施。
首先，两个MOSFET应具有R
DS （ ON）
额定电压为2.7 V或2.5 V.这可以保证合理的效率在
最低输入电压。其次，限流阈值应设置在最小输入电压。在
最小输入电压， P沟道MOSFET具有最大R
DS （ ON）
。当VIN上升到5.5 V时，R
DS （ ON）
大大降低。这种减少在R的效果
DS （ ON）
是较高的电流限制。此外，请注意关键
参数，如CLSET电流和振荡器频率在两个3.3伏和5.0 V指定
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