2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
有源区的安全工作区
50
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
单脉冲
0.1毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
T
J
= 200°C
dc
0.05
5.0
10
20
50
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
– V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
＆ LT ;
200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. 2N6284 ， 2N6287
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1.0
2.0
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
5.0 10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10 A
1000
700
C，电容（pF ）
500
C
ib
C
ob
2N6284 （ NPN ）
2N6287 （ PNP ）
100
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
T
J
= 25°C
300
200
图6.小信号电流增益
图7.电容
http://onsemi.com
4
