IXTH 22N50P IXTQ 22N50P
IXTV 22N50P IXTV 22N50PS
图。 7.输入上将ittance
35
30
25
40
35
30
T
J
= -40
C
25
C
25
20
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
125
C
图。 8.跨导
20
15
10
5
0
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
70
60
8
50
7
10
9
V
DS
= 250V
I
D
= 11A
I
G
= 10毫安
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
C
0.8
0.9
1
1.1
40
30
T
J
= 125
C
20
10
6
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
S.D。
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
100
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
R
DS （ ON）
极限
电容 - 皮法
I
D
- 安培
国际空间站
1000
25s
100s
10
OSS
100
1ms
10ms
T
J
= 150C
RSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
T
C
= 25C
DC
100
1000
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
V
S
- 伏特
