PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTH 22N50P
IXTQ 22N50P
IXTV 22N50P
IXTV 22N50PS
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 500 V
= 22 A
≤
270 mΩ
Ω
TO- 247 （ IXTH ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 10
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
G
500
500
±30
±40
22
66
22
30
750
10
350
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
G
G
D
D
（ TAB ）
S
TO-3P （ IXTQ ）
S
（ TAB ）
PLUS220 （ IXTV ）
D
S
D（ TAB ）
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
安装力矩
TO-3P
PLUS220 & PLUS220SMD
300
260
PLUS220SMD （ IXTV ... S）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
4
g
g
G
S
D（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
±10
5
50
V
V
nA
μA
μA
G =门
S =源
特点
国际标准封装
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
DS99351E(03/06)
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
270 mΩ
2006 IXYS所有权利
