晶体管
2SB1462J
PNP硅外延平面型
1.60
+0.05
–0.03
0.80
±0.05
单位：mm
0.12
+0.03
–0.01
对于一般的放大
补充2SD2216J
■
特点
高正向电流传输比H
FE
SS-迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装自动插入
1.00
±0.05
3
1.60
±0.05
0.85
+0.05
–0.03
1
0.27
±0.02
2
(0.50)(0.50)
0至0.02
(0.80)
5
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
60
50
7
100
200
125
125
55
to
+125
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0.10最大。
参数
符号
等级
单位
0.70
+0.05
–0.03
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ：SC- 89
SSMini3 -F1套餐
标识标志：
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
*1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 100 A,
I
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 10
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
60
50
7
典型值
最大
5
单位
V
V
V
0.1
100
180
0.3
80
2.7
390
0.5
兆赫
pF
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
(0.375)
A
A
V
出版日期： 2003年1月
SJC00087BED
1
