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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第393页 > 2SB1462J
晶体管
2SB1462J
PNP硅外延平面型
1.60
+0.05
–0.03
0.80
±0.05
单位：mm
0.12
+0.03
–0.01
对于一般的放大
补充2SD2216J
■
特点
高正向电流传输比H
FE
SS-迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装自动插入
1.00
±0.05
3
1.60
±0.05
0.85
+0.05
–0.03
1
0.27
±0.02
2
(0.50)(0.50)
0至0.02
(0.80)
5
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
60
50
7
100
200
125
125
55
to
+125
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0.10最大。
参数
符号
等级
单位
0.70
+0.05
–0.03
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ：SC- 89
SSMini3 -F1套餐
标识标志：
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
*1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 100 A,
I
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 10
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
60
50
7
典型值
最大
5
单位
V
V
V
0.1
100
180
0.3
80
2.7
390
0.5
兆赫
pF
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
(0.375)
A
A
V
出版日期： 2003年1月
SJC00087BED
1
2SB1462J
P
C
T
a
150
I
C
I
B
120
V
CE
= 10
V
T
a
=
25°C
1
200
I
B
V
BE
V
CE
= 10
V
T
a
=
25°C
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
125
100
1
000
集电极电流I
C
（MA ）
100
80
75
60
50
40
25
20
0
基极电流I
B
(
A
)
800
600
400
200
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
60
120 180 240 300 360
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
环境温度T
a
(
°C
)
基极电流I
B
(
A
)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
I
C
V
BE
V
CE
= 10
V
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
I
C
/ I
B
=
10
360
T
a
=
75°C
25°C
h
FE
I
C
V
CE
= 10
V
120
1
T
a
=
75°C
25°C
25°C
80
正向电流传输比H
FE
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
T
a
=
75°C
25°C
240
25°C
180
60
0.1
40
120
0.01
20
60
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
1
10
100
1
000
0
1
10
100
1
000
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
5
4
3
2
1
0
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2
SJC00087BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
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抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
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产品或如在本材料中描述的技术。
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电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
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推荐型号
22-41-4242
212X10N220RN2
2SA1127T
26001-0803
22-28-3311
2N1678
2SC2131
2305MI-1H
2B100-12S15
24LC64-EST
2920-12-301
2SK2464
2020AN103J10
27C64-12E/TS
2SC5353L-TF3-T
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2727-17J
24SFR15D
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264-10SURW/S530-A3
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