LTC4226
应用信息
设计实例
作为一个设计实例，采取以下特定网络阳离子
图8与负载电容C
OUT
1MF的（不显示
原理图） ，在端口1的电缆端：
该信道的额定电流为一个最大V
CC
在33V 1.5A的，
C
OUT
= 1MF和1.5 ×断路器的限流
电流。
断路器的电流加上15 ％的保证金：
I
CB
= 1.5A 1.15 = 1.725A,
检测电阻：
R
S
=
50mV
≈
29m
1.5A 1.15
设置限流故障超时约14MS给出：
t
20A
C
T
=
极限
=
228nF
1.23V
选择220nF的的标准值。由此产生的FTMR
超时电流限制为：
t
极限
= 13.5ms
该FTMR断路器超时是：
t
CB
= 135ms
的电阻对R1和R2设定的接通阈值电压
两个通道。在这种情况下，R1 = 150k的，R 2 = 50k的：
V
CC
阈值
=
布局的注意事项
为了实现精确的电流检测，开尔文连接
为感测电阻器被推荐。在PCB布局
开尔文传感痕迹应均衡，对称
并且最小化，以减少误差。此外， PCB布局
为检测电阻和功率MOSFET应
有良好的热管理技术设备
功率耗散，如通孔和宽的金属区域。一
为检测电阻和功率推荐的PCB布局
MOSFET被示于图11中为了避免需要
附加的MOSFET GATE引脚电阻（R1在图13），
在浇口痕迹过地平面应尽量减少
迹长度和电容。
Q2
R
S2
R
G2
(
R1+R2
)
1.23
=
4.92V
R2
启动电流限制与CLS低，
V
极限
= 1.5 1.15 V
CB
和
I
极限
= 1.5 1.15 I
CB
≈ 2.98A
计算出它需要充电了C中的时间
OUT
在电流限制：
t
收费
=
C
OUT
V
CC
≈
11ms
I
极限
在一个正常启动，所有目前的指控
C
OUT
，在MOSFET的平均功耗为
由下式给出：
V = I
P
DISS
=
CC的限制
=
49.2W
2
如果在输出短路到地，平均功率
耗散在MOSFET双打：
P
DISS
= V
CC
I
极限
= 98.4W
在SOA （安全工作区）曲线为FDMS86500DC
MOSFET显示了100W的为35ms 。在正常的起动
了MOSFET的功耗为49.2W为11毫秒，在与33V
充足的SOA保证金。
LTC4226
1
R
G1
R
S1
Q1
4226 F11
图11.推荐布局
4226f
18
