LTC4352

低电压理想二极管

控制器与监控

特点

n

n

n

n

n

n

n

n

n

n

描述

此外，LTC

4352创建使用外部一个接近理想的二极管

N沟道MOSFET 。它取代高功率肖特基

二极管和相关的散热片，从而节省功率并

电路板面积。理想二极管功能允许低损耗

的ORing电源和电源保持应用程序。

的LTC4352调节整个正向压降

在MOSFET以确保顺利电流传输的二极管或

应用程序。快速接通减小了负载电压降

在电源切换。如果输入电源发生故障或

短，快速关断最大限度地减小反向电流。

控制器工作与物资从2.9V到18V 。

为较低的电压，一个需要外部电源，在

V

CC

引脚。欠压期间，电源通道被禁用

或过压条件。该控制器还具有

开放式MOSFET检测电路， FL AGS过电压

调整管两端滴在接通状态。倒档销

使反向电流，覆盖二极管的行为

在需要的时候。

， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

低损耗替代的功率二极管

控制N沟道MOSFET

0V至18V电源的ORing或持枪抢劫

0.5μs的导通和关断时间

欠压和过压保护

打开MOSFET检测

状态和故障输出

热插拔

反向电流使能输入

12引脚MSOP和DFN （3毫米

×

3毫米）封装

应用

n

n

n

n

冗余电源

供应持枪抢劫

电信基础设施

计算机系统和服务器

典型用途

2.9V至18V理想二极管

4.0

Si7336ADP

2.9V至18V

0.1μF*

加载

功耗（ W）

3.5

3.0

二极管（ SBG1025L ）

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

0

2

MOSFET （ Si7336ADP ）

4

6

负载电流（A ）

8

10

4352 TA01b

功耗与负载电流

CPO源V

IN

V

CC

0.1μF

UV

OV

转

*可选

GND

LTC4352

门

OUT

状态

故障

4352 TA01

MOSFET在

状态

故障

动力

保存

4352f

1

LTC4352

绝对最大额定值

（注1,2 ）

V

IN

，源极电压............................... -0.3V至24V

V

CC

电压................................................. 。 -0.3V至7V

输出电压................................................ .. -2V至24V

CPO ，栅极电压（注3） ..................... -0.3V至30V

CPO直流电流............................................... .... 10毫安

UV，OV ， REV电压.................................. -0.3V至24V

FAULT ， STATUS

电压............................ -0.3V至24V

FAULT ， STATUS

Currents..........................................5mA

工作环境温度范围

LTC4352C ................................................ 0 ° C至70℃

LTC4352I .............................................. -40 ° C至85°C

存储温度范围................... -65℃ 150℃

焊接温度（焊接， 10秒）

MS套餐................................................ ...... 300℃

引脚配置

顶视图

V

IN

V

CC

UV

OV

状态

故障

1

2

3

4

5

6

13

12 SOURCE

11 GATE

10 CPO

9 GND

8 OUT

7 REV

V

IN

V

CC

UV

OV

状态

故障

1

2

3

4

5

6

顶视图

12

11

10

9

8

7

来源

门

CPO

GND

OUT

转

DD包

12引脚（3mm

×

3毫米）塑料DFN

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 43 ° C / W

裸露焊盘（引脚13 ）印刷电路板接地连接可选

MS包装

12引脚塑料MSOP

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 164 ° C / W

订购信息

无铅完成

LTC4352CDD#PBF

LTC4352IDD#PBF

LTC4352CMS#PBF

LTC4352IMS#PBF

磁带和卷轴

LTC4352CDD#TRPBF

LTC4352IDD#TRPBF

LTC4352CMS#TRPBF

LTC4352IMS#TRPBF

最热*

LDPJ

LDPJ

4352

4352

包装说明

12引脚（3mm

×

3毫米）塑料DFN

12引脚（3mm

×

3毫米）塑料DFN

12引脚塑料MSOP

12引脚塑料MSOP

温度范围

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。

咨询LTC营销非标准铅基音响光洁度部分信息。

有关无铅零件标记的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/leadfree/

有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/tapeandreel/

4352f

2

LTC4352

电气特性

符号

耗材

V

IN

输入电压范围

随着外部2.9V至4.7V V

CC

供应

随着外部4.7V至6V V

CC

供应

V

CC （ EXT ）

V

CC （ INT ）

I

IN

I

CC

V

CC （ UVLO ）

ΔV

CC （ HYST ）

理想二极管控制

V

FWD （ REG ）

ΔV

门

t

ON （ GATE ）

t

OFF （ GATE ）

输入/输出引脚

V

UV ， OV （ TH ）

ΔV

UV ， OV （ HYST ）

V

REV （ TH ）

I

UV，OV

I

转

I

OUT

I

来源

I

CPO （ UP ）

I

门

UV，OV阈值电压

UV，OV阈值迟滞

REV阈值电压

UV，OV电流

转电流

输出电流

源出电流

CPO上拉电流

门的快速上拉电流

GATE快速下拉电流

门关下拉电流

状态，故障

漏电流

状态，故障

上拉电流

状态，故障

输出低电压

状态，故障

输出高电压

MOSFET在检测阈值

开放式MOSFET的阈值（V

IN

– V

OUT

)

V = 0.5V

V

转

= 1V

V

OUT

= 0V, 12V

V

来源

= 0V

V

CPO

= V

IN

= 2.9V

V

CPO

= V

IN

= 18V

V

FWD

= 0.2V, ΔV

门

= 0V, V

CPO

= 17V

V

FWD

= –0.2V, ΔV

门

= 5V

V

UV

= 0V, ΔV

门

= 2.5V

V = 18V

V = 0V

I = 1.25毫安

I = -1μA

状态

拉低，V

FWD

= 50mV的

故障

拉低

V

UV

下降，V

OV

升起

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

该

l

表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子

温度范围内，另有规定的阳离子是在T

A

= 25°C 。 V

IN

= 12V, V

来源

= V

IN

, V

OUT

= V

IN

, V

CC

开，除非另有说明。

参数

条件

民

2.9

0

0

2.9

3.5

4.1

1.4

–10

1.25

2.45

50

10

5

2.57

70

25

6.1

0.25

0.2

490

2.5

0.8

7

–13

–85

–60

–50

–90

–75

–1.5

1.5

100

0

–8

–10

0.2

V

CC

– 1 V

CC

– 0.5

0.3

200

0.7

250

1.1

300

500

5

1.0

0

10

典型值

最大

18

V

CC

18

6

4.7

3

–13

2.5

2.7

90

40

7.5

0.5

0.5

510

8.5

1.2

±1

13

200

–130

–115

–100

单位

V

V

V

V

V

mA

μA

mA

V

mV

mV

V

μs

μs

mV

mV

V

μA

μA

μA

μA

μA

μA

A

A

μA

μA

μA

V

V

V

mV

V

CC

外部电源电压范围

V

CC

内部稳压器

V

IN

电源电流

V

IN

= 0V, V

CC

= 5V, V

OUT

= 18V

外部V

CC

电源电流

V

CC

欠压锁定阈值

V

CC

欠压闭锁滞后

正向调节电压（V

IN

V

OUT

)

MOSFET栅极驱动器（V

门

– V

来源

)

门的开启延迟

栅极关断延迟

V

FWD

= 0.1V ，I = 0和-1μA

C

门

= 10nF电容，V

FWD

= 0.2V

C

门

= 10nF电容，V

FWD

= 0.2V

V

CC

= 5V, V

IN

= 0V

V

CC

升起

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

60

145

±1

–12

0.4

I

FLT ， STAT （ IN）

I

FLT ， STAT （ UP ）

V

OL

V

OH

ΔV

门（ST）的

V

FWD （ FLT ）

注1 ：

强调超越上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对

最大额定值长时间会影响器件的可靠性和

寿命。

注2 ：

所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的

引脚是负的。所有电压参考GND除非另有

特定网络版。

注3 ：

内部卡件限制在GATE和CPO引脚到最小5V的

以上，和一个低于源极二极管。驱动这些引脚的电压超过

夹具可能会损坏设备。

4352f

3

LTC4352

典型性能特性

V

CC

开，除非另有说明。

V

IN

电流与电压

1.6

300

250

1.2

I

IN

（MA ）

200

1.00

0.8

I

IN

(μA)

150

100

50

0

0

–50

0

3

6

9

V

IN

(V)

12

15

18

4352 G01

T

A

= 25 ° C，V

IN

= 12V, V

来源

= V

IN

, V

OUT

= V

IN

,

V

IN

电流与电压同

外部V

CC

V

CC

= 5V

1.50

1.25

V

CC

电流与电压

V

IN

= 0V

I

CC

（MA ）

0

1

2

V

IN

(V)

3

4

5

4352 G02

0.75

0.50

0.25

0

0.4

0

1

2

3

V

CC

(V)

4

5

6

4352 G03

输出电流与电压

300

250

V

CPO

–V

来源

(V)

200

I

OUT

(μA)

150

100

50

0

–50

7

6

5

4

CPO电压随电流

7

V

IN

= 18V

V

门

–V

来源

(V)

6

栅极电压 - 电流

V

OUT

= V

IN

– 0.1V

V

IN

= 18V

5

4

V

IN

= 2.9V

3

2

1

0

V

IN

= 2.9V

3

2

1

0

0

3

6

9

V

OUT

(V)

12

15

18

4352 G04

–1

0

–20

–40

–60

–80

I

CPO

(μA)

–100

–120

–1

0

–20

–40

4352 G05

–60

–80

I

门

(μA)

–100

–120

4352 G06

状态，故障

输出低

电压 - 电流

1

4.0

3.5

0.8

3.0

2.5

V

OH

(V)

2.0

1.5

1.0

0.2

0.5

0

0

0

1

2

3

电流（mA ）

4

5

4352 G07

状态，故障

输出高

电压 - 电流

V

OL

(V)

0.6

0.4

0

–2

–4

–6

–8

电流（ μA ）

–10

–12

4352 G08

4352f

4

LTC4352

引脚功能

V

IN

（引脚1 ） ：

电压检测和电源输入。这个连接

引脚连接到MOSFET的电源输入端。低电压

电源V

CC

从V产生

IN

。电压感测

该引脚用于控制MOSFET的栅极。

V

CC

（引脚2 ） ：

低压电源。连接一个0.1μF的电容

从这个引脚到地。当V

IN

≥ 2.9V时，该引脚提供

解耦的内部稳压器产生一个4.1V

供应量。对于应用程序，其中V

IN

< 2.9V ，连接一个EX-

在该范围2.9V ternal电源电压6V至该引脚。

UV（引脚3 ） ：

欠压比较器输入。这个连接

引脚从V外部电阻分压器

IN

。如果电压

年龄在这个引脚低于0.5V ，欠压故障

检测，并且该MOSFET被关断。比较

具有为5mV一个内置的滞后。绑到V

CC

如果未使用。

OV （引脚4 ） ：

过电压比较器输入。这个连接

引脚从V外部电阻分压器

IN

。如果电压

年龄在这个引脚高于0.5V ，过压故障

检测，并且该MOSFET被关断。比较

具有为5mV一个内置的滞后。如果不用绑到GND 。

状态

（引脚5 ） ：

MOSFET状态输出。这个引脚上拉

通过低开漏输出外部MOSFET时，

是的。内部10μA电流源拉该引脚最多

低于V二极管

CC

。它可以高于V被拉

CC

使用

外部上拉。绑到GND或不用平仓离场。

故障

（引脚6 ） ：

故障输出。该引脚被拉低由

当故障发生时的漏极开路输出。这个故障可能

无论是欠压故障，过压故障，或

开放式MOSFET故障。内部10μA电流源

拉此引脚至低于V二极管

CC

。它可以被拉

上述V

CC

使用外部上拉电阻。绑到GND或离开

开放，如果未使用。

REV （引脚7 ） ：

反向电流使能输入。连

此引脚与GND正常运行的二极管阻止

反向电流。推动这一针上面1V完全开启

MOSFET的栅极，以允许反向电流。内部

10μA电流源拉此引脚与GND 。

OUT （引脚8 ） ：

输出电压检测输入。连接该引脚

到MOSFET的输出侧。电压感测

该引脚用于控制MOSFET的栅极。

GND （引脚9 ）

设备接地。

CPO （引脚10 ） ：

电荷泵的输出。连接一个电容

此引脚与源极引脚。该电容的值

Tor是大约10倍的栅极电容（C

国际空间站

）的

MOSFET开关。存储在该电容器上的电荷是

用来拉闸门在快速导通。离开这个

引脚开路，如果快速的开启是不需要的。

GATE （引脚11 ） ：

MOSFET栅极驱动输出。这个连接

引脚到外部的N沟道MOSFET开关的栅极。

内部钳位限制栅极电压到6.1V以上，

以下SOURCE二极管。在快速开启一个1.5A

拉费门CPO 。在快速关断一个1.5A

下拉放电门源。

SOURCE （引脚12 ） ：

MOSFET栅极驱动器返回。连

该引脚与外部N沟道MOSFET的源极

开关。

裸露焊盘（引脚13 ， DD包只） ：

裸露焊盘

可悬空或连接到设备的接地。

4352f

5

LTC4415

双通道4A理想二极管用

可调电流限制

特点

n

n

n

n

n

n

n

n

n

n

n

n

描述

此外，LTC

4415包含两个整体式的PowerPath理想

二极管，每一个能够提供高达4A的典型

50mΩ以下的正向导通电阻。二极管电压

滴正向传导过程中，在调节至15mV的

低的电流，延长电源的工作范围

并确保在电源切换无振荡。

比从输出的反向电流流过IN的1μA以下

使该器件非常适用于电源的ORing

应用程序。

这两个理想二极管进行独立使能和

使用输入EN1和优先

EN2.

输出电流

限制可以独立调节，从0.5A到4A

使用上的CLIM引脚电阻。此外，理想的

二极管电流可以通过CLIM引脚电压进行监控。

开漏状态引脚指示当理想二极管

向前传导。当芯片温度的方法

热关断，或者如果输出负载超过电流

极限阈值，相应的报警引脚

拉低。

L,

LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，

PowerPath的是凌力尔特公司的商标。所有其他商标均为

其各自所有者的财产。

双50mΩ的单片式理想二极管

1.7V至5.5V工作电压范围

最多每个二极管4A可调电流限制

低反向漏电流（ 1μA最大）

15mV的正向压降在调控

流畅切换中的ORing二极管

负载电流监控器

精密使能阈值设置切换

软启动限制浪涌电流在启动

状态引脚来指示正向二极管导通

与警告限流和热

耐热增强型16引线MSOP和DFN

(3mm

×

5毫米）封装

应用

n

n

n

n

n

n

高电流的PowerPath 开关

电池和墙上适配器二极管的ORing

后备电池二极管的ORing

逻辑控制大电流电源开关

超级电容器的ORing

多个电池共享

典型用途

优先级的电源供应器的ORing

主

动力

来源

IN1

100k

21.5k

124

124

EN2

次

动力

来源

理想

LTC4415

EN1

CLIM1

CLIM2

STAT1

WARN1

WARN2

STAT2

理想

GND

OUT2

4415 TA01a

LTC4415的正向特性

VS MBRS410E肖特基

TO

负载

负载电流（A ）

4

LTC4415

3

肖特基

二极管

MBRS410E

R

ON

= 50m

1

电流限制

OUT1

4.7F

2

+

IN2

0

0

100

300

400

200

正向压降（MV ）

500

4415 TA01b

4415fa

1

LTC4415

绝对最大额定值

（注1 ）

IN1，IN2 ， OUT1，OUT2 ， CLIM1 ， CLIM2 ，

STAT1 ， STAT2 ， WARN1 ， WARN2

电压....... -0.3V至6V

EN1,

EN2

电压................. -0.3V到最大（V

INX

, V

的OUTx

)

工作结温范围

（注3,4） ............................................ 。 - 40 ° C至125°C

存储温度范围.................. -65℃ 150℃

回流峰值温度..................................... 260℃

引脚配置

顶视图

IN1*

IN1*

EN1

CLIM1

CLIM2

EN2

IN2*

IN2*

1

2

3

4

5

6

7

8

17

GND

16 OUT1 *

15 OUT1 *

14

STAT1

13

WARN1

12

WARN2

11

STAT2

10 OUT2 *

9

OUT2*

IN1*

IN1*

EN1

CLIM1

CLIM2

EN2

IN2*

IN2*

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

OUT1*

OUT1*

STAT1

WARN1

WARN2

STAT2

OUT2*

OUT2*

17

GND

DHC套餐

方案A

16引脚（5毫米

×

3毫米）塑料DFN

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 43 ° C / W

裸露焊盘（引脚17）为GND ，必须焊接到PCB

*相邻引脚上的四个边角稠合在一起

MSE包

16引脚塑料MSOP

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 35℃ / W 40 ° C / W

裸露焊盘（引脚17）为GND ，必须焊接到PCB

*相邻引脚四个角上是一起的内熔丝。

订购信息

无铅完成

LTC4415EDHC#PBF

LTC4415IDHC#PBF

LTC4415EMSE#PBF

LTC4415IMSE#PBF

磁带和卷轴

LTC4415EDHC#TRPBF

LTC4415IDHC#TRPBF

LTC4415EMSE#TRPBF

LTC4415IMSE#TRPBF

最热*

4415

4415

4415

4415

包装说明

16引脚（5毫米

×

3毫米）塑料DFN

16引脚（5毫米

×

3毫米）塑料DFN

16引脚塑料MSOP

16引脚塑料MSOP

温度范围

-40_C到125_C

-40_C到125_C

-40_C到125_C

-40_C到125_C

咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。

咨询LTC营销基于非标准铅涂层器件的信息。

有关无铅零件标记的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/leadfree/

有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/tapeandreel/

4415fa

2

LTC4415

电气特性

符号

参数

V

IN1

, V

OUT1

，工作电压范围

V

IN2

, V

OUT2

V

UVLO

I

QF

I

QOFF

I

QR （OUT）

I

QR （ IN）

I

泄漏（ IN）

V

FR

V

RTO

R

FR

R

ON

t

ON

t

开（ SD）的

t

开关

t

关闭

t

SS

欠压锁定

静态电流正向调节

（注5 ）

在关断静态电流

反向关断电流： OUT1

OUT2

INx的引脚电流在反向关断

INx的引脚漏电流

反向关断电压（V

INX

– V

的OUTx

)

转发动态性的

规

导通电阻的恒定性

模式

PowerPath的导通时间（注6,7）

I

的OUTx

= -100mA到-300mA

I

的OUTx

= –1A

前启用V

OUT1

= 1.5V ，二极管1

前启用V

OUT2

= 1.5V ，二极管2

前启用V

的OUTx

= 0V

两个二极管残疾人和V

的OUTx

= 1.5V之前启用

两个二极管残疾人和V

的OUTx

= 0V之前启用

V

INX

↑

（ 2.6V至4.6V ）到V

的OUTx

开始上升，这两个

二极管已启用， OUT1和OUT2绑在一起

禁用于我

IN

从坠落100mA至1毫安

V

的OUTx

= 0V

I

CLIMx

/I

的OUTx

当我

的OUTx

= –4A

I

CLIMx

/I

的OUTx

当我

的OUTx

= –2A

在限流

l

该

l

表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子

结温范围内，另有规定的阳离子是在T

A

= 25 ℃（注2,3） 。 V

IN1

= V

IN2

= 3.6V ，R

CLIM

= 250Ω ，除非另有

指定的。

条件

至少一个输入/输出必须在这个范围内

V

INX

升起

迟滞

V

IN1

= V

EN1

= V

EN2

= 3.6V ，我

OUT1

= -1mA ，

V

IN2

= V

OUT2

= 0V ，测量通过GND引脚

V

IN1

= V

IN2

= V

EN2

= 3.6V, V

EN1

= 0V,

V

OUT1

= V

OUT2

= 0V ，测量通过GND引脚

V

IN1

= 3.6V, V

OUT1

= 3.7V, V

IN2

= 3.5V, V

OUT2

= 3.6V

(V

OUT1

＆ GT ; V

OUT2

)

V

OUT1

= V

OUT2

= 5.5V

V

IN1

= V

IN2

= 0V, V

OUT1

= V

OUT2

= 5.5V

l

l

l

l

l

l

l

l

l

民

1.7

典型值

最大

5.5

单位

V

V

mV

A

A

A

A

A

A

mV

mV

mΩ

mΩ

s

s

s

s

s

s

s

ms

1.63

55

44

13

18

5

4

–1

5

–50

15

–30

18

50

10

23

250

70

320

9

2

2

0.9

0.8

1

1

0.5

0.5

1.7

80

28

40

11

10

1

25

–10

30

70

正向调节电压（V

INX

– V

的OUTx

) I

的OUTx

= -1mA

PowerPath的开启，在从关闭

（注7 ）

PowerPath的切换时间

PowerPath的关闭时间

软启动时间（注8）

电流监视器比

电流监视器

1.1

1.2

毫安/ A

毫安/ A

V

4

±8

±15

4

6

130

15

160

20

l

l

电流限制

V

CLIM

I

LIM （ ADJ ）

CLIM钳位电压

电流限制可调节

可调电流限制精度

门槛

I

LIM （ INT ）

T

WARN

T

SD

内部限流

热警告阈值

热关断阈值

V

的OUTx

= V

INX

- 0.5V ，电流限制= 4A

V

的OUTx

= V

INX

- 0.5V ，电流限制= 2A

R

CLIMx

= 0Ω, V

的OUTx

= 0V

升温

迟滞

升温

迟滞

电流转换成开漏输出= 3毫安

漏极开路输出电压= 5.5V

EN1瑞星

STAT1

下拉

EN2

下降到

STAT2

下拉

A

%

%

A

°C

°C

°C

°C

0.4

1

V

A

s

s

4415fa

l

l

l

9

漏极开路状态输出（ STAT1 ，

WARN1 ， STAT2 ， WARN2 ）

V

OL

t

状态（ ON）的

开漏输出低电压

开漏输出高漏电流

STAT

导通时间（注6 ）

0.05

0

5

18

3

LTC4415

电气特性

符号

t

状态（ OFF）

t

WARN （ON）的

t

WARN （OFF）的

V

ENTH

V

ENhyst

参数

STAT

打开-O FF时间

WARN

开启时间

WARN

打开-O FF时间

EN1崛起与

EN2

阈值下降

EN1和

EN2

迟滞

启用引脚电流拉高

V

EN1

= V

EN2

= 3.6V

l

该

l

表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子

结温范围内，另有规定的阳离子是在T

A

= 25 ℃（注2,3） 。 V

IN1

= V

IN2

= 3.6V ，R

CLIM

= 250Ω ，除非另有

指定的。

条件

禁用

STAT

引体向上

电流限制

WARN

下拉

出电流限制到

WARN

引体向上

l

民

典型值

2

500

5

最大

单位

s

s

s

使能输入（ EN1 ，

EN2)

760

800

55

0

1

840

mV

mV

A

注1 ：

强调超越上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对

最大额定值条件下工作会影响器件

可靠性和寿命。

注2 ：

除非另有规定ED ，目前进入一个引脚是积极的，

当前的引脚输出为负。

注3 ：

的LTC4415是脉冲负载条件，例如，根据测试

T

J

≈ T

A

。该LTC4415E是保证符合性能规格

从0° C至85°C 。规格在-40° C至125 ° C的工作

结温范围是由设计，表征和放心

相关的统计过程控制。该LTC4415I保证

在-40 ° C至125 ° C的工作结温范围内。

结温度（T

J

单位为℃ ） ，从室温计算

温度（T

A

单位为℃ ）和功耗（P

D

在瓦数）根据

下式：

T

J

= T

A

+ (P

D

θ

JA

)

注意，最大环境温度与这些相一致

规格是由在特定的操作条件来确定

与电路板布局，额定封装的热阻抗和配合

其他环境因素。

注4 ：

该LTC4415具有过热保护，旨在

在瞬间过载条件下，以保护设备。连接点

温度超过125°C时，过热保护功能被激活。

上述特定网络连续运行主编最高工作结

温度可能会影响器件的可靠性。

注5 ：

一个通道启用。静态电流是相同的每个

通道。

注6 ：

使能输入被驱动到供给水平。其他二极管已经

启用，以便在芯片的偏置电路处于活动状态。

注7 ：

开启时间是从测量到让我

的OUTx

通过上升

为1mA。当输出电压超过1.2V时，软启动被禁用，并且

开启速度更快。

注8 ：

在软启动期间，电流逐渐从零到电流极限

持续时间。软启动时测得的10％至90％的电流限制。如果

负荷条件是这样的，目前并不需要去由

在启动期间，电流限制，输出电压可能达到稳态

越早。

典型性能特性

T

A

= 25 ° C，V

IN1

= V

IN2

= 3.6V ，R

CLIM

= 250Ω ，除非另有说明。

I-V特性

4

R

CLIM

= 124

80

70

正向电流（ A）

3

60

R

ON

(m )

2

50

40

1

125°C

90°C

25°C

–40°C

0

50

150

200

100

正向压降（MV ）

250

4415 G01

导通电阻与温度

80

70

60

R

ON

(m )

0

25 50 75 100 125 150

温度（℃）

4415 G02

导通电阻与V

IN

50

40

30

20

30

20

–50 –25

0

1

2

3

4

输入电压（ V）

5

6

4415 G03

4415fa

4

LTC4415

典型性能特性

T

A

= 25 ° C，V

IN1

= V

IN2

= 3.6V ，R

CLIM

= 250Ω ，除非另有说明。

反向漏电流

与温度

10

1

静态电流（ μA ）

100n

I

泄漏（ IN）

(A)

10n

V

OUT

= 3.6V

1n

100p

10p

–50 –25

V

IN

= 0V

100

两个二极管ON

静态电流（ μA ）

静态电流与温度

100

静态电流与V

IN

80

60

80

两个二极管ON

V

OUT

= 5.5V

一个二极管对（Ⅰ

QF

)

60

一个二极管对（Ⅰ

QF

)

40

20

两个二极管关断（I

QOFF

)

40

两个二极管关断（I

QOFF

)

20

0

25 50 75 100 125 150

温度（℃）

4415 G04

0

–50 –25

0

25 50

75 100 125 150

温度（℃）

4415 G05

0

1

2

4

3

输入电压（ V）

5

6

4415 G06

静态电流

与输出电流

100

电流限制

80

电流限制（ A）

7

6

5

4

3

2

1

R

CLIM

= 124

0

1

2

4

3

输出电流（A ）

5

4415 G07

电流限制与输出电压

V

IN

= 3.6V

7

R

CLIM

= 0

短路电流（A）

6

短路电流

与温度

V

OUT

= 0V

R

CLIM

= 0

5

4

3

2

1

0

–50 –25

0

R

CLIM

= 1000

25 50 75 100 125 150

温度（℃）

4415 G09

I

QF

(A)

60

R

CLIM

= 124

R

CLIM

= 124

40

20

R

CLIM

= 249

R

CLIM

= 249

R

CLIM

= 1000

0

1

3

输出电压（V）

2

4

4415 G08

0

0

电流监视器比

与温度

1.30

1.20

I

CLIM

/I

OUT

（毫安/ A ）

DEVICE 1 （高比率）

设备2

装置3 （低比率）

I

CLIM

/I

OUT

（毫安/ A ）

1.10

1.00

0.90

0.80

0.70

–50 –25

1.30

1.20

1.10

1.00

0.90

0.80

0.70

电流监视器比VS我

OUT

DEVICE 1 （高比率）

设备2

装置3 （低比率）

I

OUT

= 2A

R

CLIM

= 124

0

25 50 75 100 125 150

温度（℃）

4415 G10

R

CLIM

= 124

0

2

1

3

输出电流（A ）

4

4415 G11

4415fa

5

LTC4370

双电源二极管，或

电流平衡控制器

特点

n

n

描述

此外，LTC

4370是一个两电源的电流分配控制器

它集成了MOSFET的理想二极管。二极管

块反向和直通启动期间的电流

和故障情况。其正向电压被调节到

交流电源之间的负载电流。不像其他

共享方法，既不是股票，也不公交修剪引脚

电源是必需的。

MOSFET的最大电压降可以用一个设置

电阻器。快速门的开启降低了负载电压

在电源切换下垂。如果输入电源出现故障

或短路，快速关断最大限度地减小反向电流

瞬变。

控制器工作与物资从2.9V到18V 。

对于下部导轨的电压，一个需要外部电源，在

在V

CC

引脚。使能输入可以用来关闭

MOSFET和控制器置于低电流状态。

状态输出指示MOSFET的是否或

关。负载分担功能可被禁用，以打开

LTC4370为一个双通道理想二极管控制器。

n

n

n

n

n

n

n

n

股份负载两个电源之间

无需进行主动控制

输入电源

没有共享总线要求

块反向电流

没有直通电流在启动过程中或故障

0V至18V高压侧工作

使能输入

MOSFET导通状态输出

双通道理想二极管模式

16引脚DFN封装（4毫米× 3毫米）和MSOP封装

应用

n

n

n

冗余电源

高可用性系统和服务器

电信和网络基础设施

L,

LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，

PowerPath和采用ThinSOT是凌特公司的商标。所有其他商标

是其各自所有者的财产。受美国专利保护，其中包括7920013和

8022679.其他专利正在申请中。

典型用途

12V ， 10A负载共享

V

INA

12V

SUM85N03-06P

39nF*

分享ERROR （我

VINA

– I

VINB

)/I

L

(%)

20

15

10

5

0

–5

–10

–15

–20

–750

SUM85N03-06P

4370 TA01

均流误差与电源差

EN1

CPO1

V

CC

GND

范围

EN2

CPO2

39nF*

V

INB

12V

V

IN1

GATE1

OUT1

0.1F

NC

LTC4370

FETON1

FETON2

OUT2

2m

2m

OUT

12V ， 10A

V

IN2

GATE2 COMP

0.18F

–500

–250

0

250

V

INA

– V

INB

（毫伏）

500

750

4370 TA01b

*可选，用于快速开启

4370f

1

LTC4370

绝对最大额定值

（注1,2 ）

V

IN1

, V

IN2

， OUT1 ， OUT2电压...................- 2V至24V

V

CC

电压............................................... -0.3 V到6.5V

GATE1 ， GATE2电压（注3） ............... -0.3V至34V

CPO1 ， CPO2电压（注3 ） ................... -0.3V至34V

电压范围................................- 0.3V至V

CC

+ 0.3V

COMP电压.............................................. -0.3 V到3V

EN1 ， EN2 ，

FETON1 ， FETON2电压.........- 0.3V至24V

CPO1 ， CPO2平均电流................................. 10毫安

FETON1 ， FETON2电流....................................... 5毫安

工作环境温度范围

LTC4370C ................................................ 0 ° C至70℃

LTC4370I ............................................. -40°C至85℃

存储温度范围.................. -65℃ 150℃

焊接温度（焊接， 10秒）

MS套餐................................................ ...... 300℃

引脚配置

顶视图

EN2

范围

COMP

V

IN2

GATE2

CPO2

OUT2

FETON2

1

2

3

4

5

6

7

8

17

16

EN1

15 GND

14 V

CC

13 V

IN1

12 GATE1

11 CPO1

10 OUT1

9 FETON1

顶视图

EN2

范围

COMP

V

IN2

GATE2

CPO2

OUT2

FETON2

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

EN1

GND

V

CC

V

IN1

GATE1

CPO1

OUT1

FETON1

DE包装

16引脚（4毫米

×

3毫米）塑料DFN

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 43 ° C / W

裸露焊盘（引脚17 ）印刷电路板接地连接是可选的

MS包装

16引脚塑料MSOP

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 125°C / W

订购信息

无铅完成

LTC4370CDE#PBF

LTC4370IDE#PBF

LTC4370CMS#PBF

LTC4370IMS#PBF

磁带和卷轴

LTC4370CDE#TRPBF

LTC4370IDE#TRPBF

LTC4370CMS#TRPBF

LTC4370IMS#TRPBF

最热*

4370

4370

4370

4370

包装说明

16引脚（4毫米× 3毫米）塑料DFN

16引脚（4毫米× 3毫米）塑料DFN

16引脚塑料MSOP

16引脚塑料MSOP

温度范围

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。

有关无铅零件标记的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/leadfree/

有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/tapeandreel/

4370f

2

LTC4370

电气特性

符号

耗材

V

IN

V

CC （ EXT ）

V

CC （ REG ）

I

IN

V

IN1

, V

IN2

工作范围

V

CC

外部电源工作范围

V

CC

稳定电压

V

IN1

, V

IN2

当前

启用后，较高的电源

已启用，更低的电源

引体向上

残

V

CC

当前

启用

残

V

CC

欠压锁定阈值

V

CC

欠压闭锁滞后

误差放大器输入失调

误差放大器的增益（ -ΔI

COMP

/ΔV

OUT

)

最小正向调节电压

(V

IN

- OUT ）

最大正向调节电压

(V

IN

- OUT ）

RANGE上拉电流

负载范围内共享禁用阈值

MOSFET栅极驱动器（ GATE - V

IN

)

GATE1 ， GATE2导通传播延迟

GATE1 ， GATE2关断传播延迟

GATE1 ， GATE2山顶上拉电流

GATE1 ， GATE2峰值下拉电流

GATE1 ， GATE2关闭下拉电流

EN1 ， EN2

阈值电压

EN1 ， EN2

阈值迟滞

EN1 ， EN2

当前

OUT1 ， OUT2电流

启用

残

CPO1 ， CPO2上拉电流

FETON1 ， FETON2输出低电压

FETON1 ， FETON2输出高电压

在0.6V

OUTn的= 0V ， 12V;两

EN

= 0V

两

EN

= 1V

CPO = V

IN

I = 1毫安

I = 3毫安

I = -1μA ，V

FWD

= 1V

V

FWD

= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V

IN

= 12V

V

FWD

= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V

IN

= 2.9V

V

FWD

(= V

IN

- OUT ）步骤： 0.3V - 0.3V

V

FWD

步骤： 0.3V - 0.3V

V

FWD

= 0.4V, ΔV

门

= 0V ， CPO = 17V

V

FWD

= 2V, ΔV

门

= 5V

相应

EN

= 1V, ΔV

门

= 2.5V

EN

落下

V

IN

= 1.2V, V

CC

= 5V

V

IN

= 12V

R

范围

= 4.99K ，V

IN

= 1.2V, V

CC

= 5V

R

范围

= 4.99K ，V

IN

= 12V

R

范围

= 49.9k ，V

IN

= 1.2V, V

CC

= 5V

R

范围

= 49.9k ，V

IN

= 12V

RANGE = 0.2V

l

l

l

l

l

l

l

l

该

l

表示该应用在整个工作的规范

温度范围，否则仅指在T

A

= 25°C 。 V

IN1

= V

IN2

= 12V ， OUT = V

IN

, V

CC

开，除非另有说明。

参数

条件

l

l

l

l

民

2.9

0

2.9

4.5

典型值

最大

18

V

CC

6

单位

V

V

V

V

mA

A

A

A

mA

A

V

mV

mV

S

mV

mV

mV

mV

mV

mV

A

V

V

V

s

s

A

A

A

mV

mV

A

A

A

A

V

V

V

与外部V

CC

供应

V

IN1

, V

IN2

≤ V

CC

5

2.1

320

–110

80

2

105

5.5

3

450

–180

180

2.8

220

2.7

300

±2

25

50

82

100

575

590

–11.2

其它V

IN

= 11.7V ，这两个

EN

= 0V

其它V

IN

= 12.3V ，这两个

EN

= 0V

双方V

IN

= 0V, V

CC

= 5V ，这两种

EN

= 0V

两

EN

= 1V

V

CC

= 5V ，这两种V

IN

= 1.2V ，这两个

EN

= 0V

V

CC

= 5V ，这两种V

IN

= 1.2V ，这两个

EN

= 1V

V

CC

升起

l

l

l

l

l

l

l

l

I

CC

V

CC （ UVLO ）

ΔV

CC （ HYST ）

负载共享

V

EA （OS）的

g

M（ EA ）

V

帧中继（MIN）

V

帧中继（MAX）中

2.3

40

2.55

120

0

150

l

2

2

40

45

425

440

–8.8

12

25

62

75

511

524

–10

I

范围

V

RANGE （ TH ）

栅极驱动器

ΔV

门

t

ON （ GATE ）

t

OFF （ GATE ）

I

GATE （ PK ）

I

门（OFF）的

V

EN（ TH）的

ΔV

EN（ TH）的

I

EN

I

OUT

I

CPO （ UP ）

V

OL

V

OH

V

CC

– 0.5 V

CC

– 0.3 V

CC

– 0.1

10

4.5

12

7

0.4

0.4

–0.9

0.9

65

580

2

–1.4

1.4

110

600

8

0

–70

–40

14

9

1

1

–1.9

1.9

160

620

20

±1

260

40

–115

0.4

1.2

l

l

l

l

l

l

l

输入/输出引脚

l

l

l

l

l

l

l

l

l

16

–70

0.12

0.36

V

CC

– 1.4 V

CC

– 0.9 V

CC

– 0.5

4370f

3

LTC4370

电气特性

符号

I

FETON

ΔV

门（ON）的

参数

FETON1 ， FETON2漏电流

MOSFET在检测阈值

（ GATE - V

IN

)

条件

在12V

FETON转变为高

l

l

民

0.28

典型值

0

0.7

最大

±1

1.1

单位

A

V

注1 ：

强调超越上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对

最大额定值条件下工作会影响器件

可靠性和寿命。

注2 ：

所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的

引脚是负的。所有电压参考GND除非另有

指定的。

注3 ：

内部卡件限制在GATE和CPO引脚到最小10V的

以上，以及在对应的V低于二极管

IN

引脚。驱动这些引脚

超过钳位电压可能会损坏设备。

典型性能特性

除非另有说明。

V

IN

电流与电压

其它V

IN

= 0V

T

A

= 25 ° C，V

IN1

= V

IN2

= 12V ， OUT = V

IN

, V

CC

开放的，

3

2.5

2

I

IN

（MA ）

300

250

200

150

V

IN

电流与电压同

外部V

CC

V

CC

= 6V

其它V

IN

= 0V

2.5

V

CC

电流与电压

双方V

IN

= 0V

2

1

0.5

0

–0.5

0

3

6

9

V

IN

(V)

12

15

18

4370 G01

50

0

I

CC

（MA ）

0

1

2

3

V

IN

(V)

4

5

6

4370 G02

I

IN

(A)

1.5

100

1.5

1

其它V

IN

= 12V

–50

–100

–150

0.5

0

0

1

2

3

V

CC

(V)

4

5

6

4370 G03

输出电流与电压

300

250

200

30

25

20

15

10

5

0

最小正向调控

电压Vs V

IN

电压

外部V

CC

V

帧中继（MIN）

（毫伏）

I

OUT

(A)

150

100

50

0

–50

0

3

6

9

V

OUT

(V)

12

15

18

4370 G04

V

CC

= 3.3V

V

CC

= 5V

0

1

2

V

IN

(V)

3

4

5

4370 G05

4370f

4

LTC4370

典型性能特性

除非另有说明。

15

12

9

6

3

0

–3

V

IN

= 2.9V

V

门

– V

IN

, V

CC

(V)

T

A

= 25 ° C，V

IN1

= V

IN2

= 12V ， OUT = V

IN

, V

CC

开放的，

½V

门

电压 - 电流

14

12

10

8

6

4

2

½V

门

和V

CC

电压

VS V

IN

电压

V

门

V

门

– V

IN

(V)

V

IN

= 18V

V

CC

0

–20

–40

–60

–80

I

门

(A)

–100

–120

4370 G06

0

0

3

6

9

V

IN

(V)

12

15

18

4370 G07

最大正向调控

电压Vs程电阻器

700

600

500

V

帧中继（MAX）中

（毫伏）

400

300

200

100

0

0

20

40

60

R

范围

(k )

80

100

4370 G08

误差放大器转移

特征

30

20

10

I

COMP

(A)

0

–10

–20

–30

–300

–200

–100

0

100

V

OUT1

– V

OUT2

（毫伏）

200

300

4370 G09

FETON输出低电压

VS电流

700

600

500

V

OL

（毫伏）

V

OH

(V)

0

1

3

I

FETON

（MA ）

2

4

5

4370 G10

FETON输出高电压

VS电流

5

4

400

300

200

100

0

3

2

1

0

0

–2

–4

–6

I

FETON

(A)

–8

–10

4370 G11

4370f

5

LTC4353

双路低电压

理想二极管控制器

特点

n

n

n

n

n

n

n

描述

此外，LTC

4353控制外部N沟道MOSFET，以

实现一个理想二极管的功能。它取代了两个高

功率肖特基二极管及其相关的散热片，

节省了功耗和电路板面积。理想二极管功能

允许低损耗电源的ORing和供应滞留

应用程序。

该LTC4353规定在整个正向压降

在MOSFET以确保顺利电流传输的二极管或

应用程序。快速接通减小了负载电压

在电源切换下垂。如果输入电源出现故障

或短路，一个快速关断最大限度地降低反向电流

瞬变。

控制器工作与物资从2.9V到18V 。如果

两个电源都低于2.9V ，外部电源是必要的

在V

CC

引脚。使能输入可以用来关闭

MOSFET和控制器置于低电流状态。

状态输出指示MOSFET的是否打开或关闭。

低损耗替代的功率二极管

控制N沟道MOSFET

0V至18V电源的ORing或持枪抢劫

1μs的栅极导通和关断时间

使能输入

MOSFET的导通状态输出

16引脚MSOP和DFN封装（4毫米× 3毫米）封装

应用

n

n

n

n

冗余电源

供应持枪抢劫

高可用性系统和服务器

电信和网络基础设施

L,

LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，

热插拔， PowerPath和采用ThinSOT是凌特公司的商标。所有其他

商标是其各自所有者的财产。受美国专利保护，其中包括

7920013和8022679 。

典型用途

2.9V至18V ， 10A理想二极管-OR

2.9V至18V

Si4126DY

56nF*

V

IN1

CPO1

EN1

0.1F

V

CC

GND

EN2

CPO2

V

IN2

GATE2

OUT2

56nF*

2.9V至18V

*可选的快速开启

V

IN1

= 5.2V

V

IN2

= 5V

I

L

= 8A

C

L

= 100F

4353 TA01a

产量保持未有输入电源

LTC4353

ONST1

ONST2

MOSFET

导通状态

输出

电压2V / DIV

V

IN1

GATE1

OUT1

V

OUT

10A

V

IN2

V

OUT

Si4126DY

5s/DIV

4353 TA01b

4353f

1

LTC4353

绝对最大额定值

（注1,2 ）

V

IN1

, V

IN2

， OUT1 ， OUT2电压...................- 2V至24V

V

CC

电压............................................... -0.3 V到6.5V

GATE1 ， GATE2电压（注3） ............... -0.3V至34V

CPO1 ， CPO2电压（注3 ） ................... -0.3V至34V

EN1 ， EN2 ， ONST1 ， ONST2

电压.............- 0.3V至24V

CPO1 ， CPO2平均电流................................. 10毫安

ONST1 ， ONST2

电流........................................... 5毫安

工作环境温度范围

LTC4353C ................................................ 0 ° C至70℃

LTC4353I ............................................. -40°C至85℃

存储温度范围.................. -65℃ 150℃

焊接温度（焊接， 10秒）

MS套餐................................................ ...... 300℃

引脚配置

顶视图

EN2

NC

NC

V

IN2

GATE2

CPO2

OUT2

ONST2

1

2

3

4

5

6

7

8

17

16

EN1

15 GND

14 V

CC

13 V

IN1

12 GATE1

11 CPO1

10 OUT1

9

ONST1

EN2

NC

NC

V

IN2

GATE2

CPO2

OUT2

ONST2

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

EN1

GND

V

CC

V

IN1

GATE1

CPO1

OUT1

ONST1

MS包装

16引脚塑料MSOP

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 125°C / W

DE包装

16引脚（4毫米

×

3毫米）塑料DFN

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 43 ° C / W

裸露焊盘（引脚17 ）印刷电路板接地连接可选

订购信息

无铅完成

LTC4353CDE#PBF

LTC4353IDE#PBF

LTC4353CMS#PBF

LTC4353IMS#PBF

磁带和卷轴

LTC4353CDE#TRPBF

LTC4353IDE#TRPBF

LTC4353CMS#TRPBF

LTC4353IMS#TRPBF

最热*

4353

4353

4353

4353

包装说明

16引脚（4mm

×

3毫米）塑料DFN

16引脚（4mm

×

3毫米）塑料DFN

16引脚塑料MSOP

16引脚塑料MSOP

温度范围

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。

有关无铅零件标记的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/leadfree/

有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/tapeandreel/

4353f

2

LTC4353

该

l

表示该应用在整个工作的规范

温度范围，否则仅指在T

A

= 25°C 。 V

IN1

= V

IN2

= 12V ， OUT = V

IN

, V

CC

开，除非另有说明。

符号

耗材

V

IN

V

CC （ EXT ）

V

CC （ REG ）

I

IN

V

IN1

, V

IN2

工作范围

V

CC

外部电源工作范围

V

CC

稳定电压

V

IN1

, V

IN2

当前

启用后，较高的电源

已启用，更低的电源

引体向上

残

V

CC

当前

启用

残

V

CC

欠压锁定阈值

V

CC

欠压闭锁滞后

正向调节电压（V

IN

- OUT ）

MOSFET栅极驱动器（ GATE - V

IN

)

GATE1 ， GATE2导通传播延迟

GATE1 ， GATE2关断传播延迟

GATE1 ， GATE2快速上拉电流

GATE1 ， GATE2快速下拉电流

GATE1 ， GATE2关闭下拉电流

EN1 ， EN2

阈值电压

EN1 ， EN2

阈值迟滞

EN1 ， EN2

当前

OUT1 ， OUT2电流

启用

残

CPO1 ， CPO2上拉电流

ONST1 ， ONST2

输出低电压

ONST1 ， ONST2

输出高电压

ONST1 ， ONST2

漏电流

MOSFET的导通检测阈值（ GATE - V

IN

)

在0.6V

OUTn的= 0V ， 12V;两

EN

= 0V

两

EN

= 1V

CPO = V

IN

I = 1毫安

I = 3毫安

I = -1μA

在12V

ONST

拉低

V

IN

= 1.2V, V

CC

= 5V

V

IN

= 12V

V

FWD

= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V

IN

=12V

V

FWD

= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V

IN

=2.9V

V

FWD

(= V

IN

- OUT ）步骤： -0.3V至0.3V

V

FWD

步骤： 0.3V至-0.3V

V

FWD

= 0.4V, ΔV

门

= 0V ， CPO = 17V

V

FWD

= 0.8V, ΔV

门

= 5V

相应

EN

= 1V, ΔV

门

= 2.5V

EN

落下

其它V

IN

= 11.7V ，这两个

EN

= 0V

其它V

IN

= 12.3V ，这两个

EN

= 0V

双方V

IN

= 0V, V

CC

= 5V ，这两种

EN

= 0V

两

EN

= 1V

V

CC

= 5V ，这两种V

IN

= 1.2V ，这两个

EN

= 0V

V

CC

= 5V ，这两种V

IN

= 1.2V ，这两个

EN

= 1V

V

CC

升起

与外部V

CC

供应

V

IN1

, V

IN2

≤ V

CC

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

电气特性

参数

条件

民

2.9

0

2.9

4.5

典型值

最大

18

V

CC

6

单位

V

V

V

V

mA

A

A

A

mA

A

V

mV

mV

mV

V

V

s

s

A

A

A

mV

mV

A

A

A

A

V

V

V

A

V

5

1.5

200

–45

75

1.5

88

5.5

2.5

300

–80

160

2.2

190

2.7

300

25

50

14

9

1

1

–1.9

1.9

160

620

20

±1

160

16

–115

0.4

1.2

±1

1.1

I

CC

V

CC （ UVLO ）

ΔV

CC （ HYST ）

V

FR

ΔV

门

t

ON （ GATE ）

t

OFF （ GATE ）

I

门

2.3

40

2

2

10

4.5

2.55

120

12

25

12

7

0.4

0.3

理想二极管控制

l

l

l

l

l

l

l

l

l

–0.9

0.9

65

580

2

–1.4

1.4

110

600

8

0

输入/输出引脚

V

EN（ TH）的

ΔV

EN（ TH）的

I

EN

I

OUT

I

CPO （ UP ）

V

OL

V

OH

I

ONST

ΔV

门（ON）的

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

–4

–40

8

–70

0.14

0.42

0

V

CC

– 1.4 V

CC

– 0.9 V

CC

– 0.5

0.28

0.7

注1 ：

强调超越上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对

最大额定值条件下工作会影响器件

可靠性和寿命。

注2 ：

所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的

引脚是负的。所有电压参考GND除非另有

指定的。

注3 ：

内部卡件限制在GATE和CPO引脚到最小10V的

以上，以及在对应的V低于二极管

IN

引脚。驱动这些引脚

超过钳位电压可能会损坏设备。

4353f

3

LTC4353

典型性能特性

除非另有说明。

2.5

2.0

1.5

I

IN

（MA ）

1.0

0.5

其它V

IN

= 12V

0

–0.5

0

–50

I

IN

(A)

T

A

= 25 ° C，V

IN1

= V

IN2

= 12V ， OUT = V

IN

, V

CC

开放的，

V

IN

电流与电压

其它V

IN

= 0V

250

200

150

100

50

V

IN

电流与电压同

外部V

CC

V

CC

= 6V

其它V

IN

= 0V

1.75

1.50

1.25

I

CC

（MA ）

1.00

0.75

0.50

0.25

0

V

CC

电流与电压

双方V

IN

= 0V

0

3

6

9

V

IN

(V)

12

15

18

4353 G01

0

1

2

3

V

IN

(V)

4

5

6

4353 G02

0

1

2

3

V

CC

(V)

4

5

6

4353 G03

输出电流与电压

250

200

150

I

OUT

(A)

100

50

0

–50

V

FR

（毫伏）

30

25

20

15

10

5

0

正向调节电压

VS V

IN

电压与外部V

CC

14

12

10

V

门

– V

IN

(V)

V

CC

= 3.3V

V

CC

= 5V

8

6

4

2

0

0

1

2

V

IN

(V)

3

4

5

4353 G05

½V

门

电压 - 电流

OUT = V

IN

– 0.1V

V

IN

= 18V

V

IN

= 2.9V

0

3

6

9

V

OUT

(V)

12

15

18

4353 G04

–2

0

–20

–40

–60

–80

I

门

(A)

–100

–120

4353 G06

14

12

V

门

– V

IN

, V

CC

(V)

10

½V

门

和V

CC

电压

VS V

IN

电压

V

门

ONST

输出低电压

VS电流

800

5

ONST

输出高电压

VS电流

600

V

OL

（毫伏）

4

400

6

4

2

0

0

3

6

V

OH

(V)

0

8

V

CC

3

2

200

1

9

V

IN

(V)

12

15

18

4353 G07

0

1

2

3

I

ONST

（MA ）

4

5

4353 G08

0

0

–2

–4

–6

I

ONST

(A)

–8

–10

4353 G09

4353f

4

LTC4353

典型性能特性

除非另有说明。

启动波形的V

IN1

上电

V

IN1

V

CC

电压为5V / DIV

OUT

CPO1

CPO2

GATE1

V

GATE2

10V/DIV

5ms/DIV

4353 G10

T

A

= 25 ° C，V

IN1

= V

IN2

= 12V ， OUT = V

IN

, V

CC

开放的，

快速切换门

从供应失败

V

IN1

2V/DIV

V

IN2

2V/DIV

V

GATE1

5V/DIV

V

IN1

= 5.2V

V

IN2

= 5V

C

L

= 100F

I

L

= 8A

5s/DIV

4353 G11

引脚功能

CPO1 ， CPO2 ：

电荷泵的输出。连接一个电容

从这个引脚对应的V

IN

引脚。的值

该电容应该是约10 ×门钙

pacitance （C

国际空间站

）的MOSFET开关。存储的电荷

有关此电容器是用来拉栅极在快速

开启。离开这个引脚开路如果不需要快速的开启。

EN1 ， EN2 ：

使能输入。应保持在0.6V将此引脚恩

上相应的供应能够二极管控制。驾驶

该引脚为高电平关断MOSFET栅极（目前尚可

流过其体二极管） 。该比较器有一个内置的

迟滞为8mV的。兼具

EN

销高降低

所述控制器的电流消耗。

裸露焊盘（ DE封装） ：

该引脚可留

打开或连接到设备接地。

GATE1 ， GATE2 ：

MOSFET栅极驱动输出。这个连接

引脚到外部的N沟道MOSFET开关的栅极。

内部钳位限制栅极电压至12V以上，

和下方的输入电源的二极管。在快速导通，一

1.4A拉电流充电门从CPO 。在快

关断，一个1.4A的下拉电流放电门V

IN

.

GND ：

设备接地。

ONST1 ， ONST2 ：

MOSFET状态输出。这个引脚上拉

低通过内部开关，当GATE超过0.7V

上述V

IN

以指示开MOSFET 。内部500K

电阻拉此引脚至低于V二极管

CC

。它可以是

上述V拉

CC

使用外部上拉电阻。绑到GND或

离开，如果不用打开。

OUT1 ， OUT2 ：

输出电压检测输入。这个连接

引脚连接到MOSFET的负载侧。电压感测

在这个引脚用来控制MOSFET的栅极。

V

CC

:

低压电源。从接一个0.1μF的电容

此引脚接地。对于V

IN

≥ 2.9V时，该引脚提供decou-

耦的一个内部稳压器，产生一个5V电源。

对于应用程序，这两个V

IN

< 2.9V ，也连接了

在2.9V至6V外接电源电压范围内该引脚。

V

IN1

, V

IN2

:

电压检测和电源输入。连

这个引脚MOSFET的电源侧。低电压

年龄电源V

CC

从V的较高的生成

IN1

和

V

IN2

。感测到的在这个引脚上的电压被用于控制所述

MOSFET栅极。

4353f

5

LTC4359

理想二极管控制器

反向输入保护

特点

n

n

n

n

n

n

n

描述

此外，LTC

4359是一个正高电压理想二极管控制 -

LER驱动一个外部N沟道MOSFET取代

肖特基二极管。它控制的正向压降

MOSFET两端，以确保顺利交货电流

无振动，即使在轻负载条件下。如果电源

发生故障或短路，快速关断最大限度地减小反向电流

租瞬变。关断模式，可降低

以9μA静态电流。

当在高电流的二极管的应用中使用的LTC4359

降低了功耗，散热，电压损失

和PC板面积。凭借其工作电压范围宽，

承受反向输入电压的能力，以及高

额定温度时， LTC4359满足了苛刻

汽车与电信应用的要求。

在系统中， LTC4359还容易手术室电源

带有冗余电源。

L,

LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，

热插拔是凌特公司的商标。所有其他商标均为

其各自所有者的财产。

降低功耗通过更换电源

肖特基二极管

宽工作电压范围： 4V至80V

反向输入保护至 - 40V

9μA低关断电流

低150μA工作电流

流畅的切换无振荡

提供6引脚（2毫米

×

3毫米） DFN和8引线

MSOP封装

应用

n

n

n

n

n

汽车电池保护

冗余电源

电信基础设施

计算机系统/服务器

太阳能系统

典型用途

12V ， 20A汽车电池反接保护

V

IN

12V

BSC028N06NS

SMAT70A

70V

SMAJ24A

24V

IN

SHDN

来源

LTC4359

V

SS

4359 TA01

功耗与负载电流

10

V

OUT

加载

功耗（ W）

8

肖特基二极管（ SBG2040CT ）

门

OUT

47nF

6

动力

保存

4

1k

2

MOSFET （ BSC028N06NS ）

0

0

5

10

电流（A ）

15

20

4359 TA01a

4359f

1

LTC4359

绝对最大额定值

（注1,2 ）

IN ，来源，

SHDN

................................... -40V至100V

OUT （注3 ） ............................................. ...- 2V到100V

IN - OUT ............................................... ...- 100V至100V

IN - 源............................................... ..- 1V至80V

GATE （注4 ） .............. V

来源

-0.3V到V

来源

+10V

工作环境温度范围

LTC4359C ................................................. ... 0 70℃

LTC4359I ................................................. -40到85°C

LTC4359H .............................................. -40 125°C

存储温度范围...................... -65 ℃150℃

焊接温度（焊接， 10秒）

MS套餐................................................ ...... 300℃

引脚配置

顶视图

出1

门2

来源3

7

6 V

SS

5

SHDN

4 IN

顶视图

门

来源

NC

IN

1

2

3

4

8

7

6

5

OUT

NC

V

SS

SHDN

DCB套餐

6引线（2毫米

×

3毫米）塑料DFN

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 64 ° C / W

裸露焊盘（引脚7） PCB V

SS

连接可选

MS8包装

8引脚塑料MSOP

T

JMAX

= 125°C,

θ

JA

= 160 ° C / W

订购信息

无铅完成

卷带式（ MINI ）

LTC4359CDCB#TRMPBF

LTC4359IDCB#TRMPBF

LTC4359HDCB#TRMPBF

无铅完成

LTC4359CMS8#PBF

LTC4359IMS8#PBF

磁带和卷轴

LTC4359CDCB#TRPBF

LTC4359IDCB#TRPBF

LTC4359HDCB#TRPBF

磁带和卷轴

LTC4359CMS8#TRPBF

LTC4359IMS8#TRPBF

最热*

LFKF

LFKF

LFKF

最热*

LTFKD

LTFKD

包装说明

6引线（2毫米

×

3毫米）塑料DFN

6引线（2毫米

×

3毫米）塑料DFN

6引线（2毫米

×

3毫米）塑料DFN

包装说明

8引脚塑料MSOP

8引脚塑料MSOP

温度范围

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

-40_C到125_C

温度范围

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

LTC4359HMS8#PBF

LTC4359HMS8#TRPBF

LTFKD

8引脚塑料MSOP

-40_C到125_C

咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。

有关无铅零件标记的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/leadfree/

有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/tapeandreel/

4359f

2

LTC4359

电气特性

符号

V

IN

I

IN

参数

工作电压范围

在当前

IN = 12V

IN = OUT = 12V，

SHDN

= 0V

IN = OUT = 24V ，

SHDN

= 0V

IN = -40V

IN = 12V ，在第

IN = 12V， ΔV

SD

= 1V

IN = OUT = 12V，

SHDN

= 0V

IN = OUT = 24V ，

SHDN

= 0V

OUT = 12V， IN =

SHDN

= 0V

IN = 12V， ΔV

SD

= 1V

IN =源= 12V ，

SHDN

= 0V

SOURCE = -40V

IN = 4V ，我

门

= 0, 1A

IN = 8V至80V ;我

门

= 0, –1A

V

门

= 2.5V

GATE = IN， ΔV

SD

= 0.1V

故障情况下， ΔV

门

=5V, V

SD

= 1V

关断模式， ΔV

门

= 5V, V

SD

= 0.7V

V

SD

= 0.1V至-1V ， ΔV

门

＆ LT ; 2V ，

C

门

= 0pF

IN = 4V至80V

IN = 4V至80V

SHDN

= 0.5V ， LTC4359I ， LTC4359C

SHDN

= 0.5V ， LTC4359H

SHDN

= 40V

最大允许泄漏，V

IN

= 4V

GATE = 0V ，我

GATE （下）

= 1毫安

该

l

表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子

温度范围，否则仅指在T

A

= 25℃ ，IN = 12V， SOURCE =中，除非另有说明。

条件

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

民

4

典型值

150

9

15

–15

5

120

0.8

0.8

6

150

4

–0.8

5.5

12

30

–10

130

0.3

最大

80

200

20

30

–40

7.5

200

3

3

12

200

15

–1.5

15

15

45

–14

180

0.5

2

2.5

–5

–5

–1.5

–2.7

单位

V

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

mA

V

V

mV

A

mA

mA

s

V

V

A

A

mA

nA

V

0

3

I

OUT

输出电流

I

来源

V

门

V

SD

I

GATE （ UP ）

源出电流

1

–0.4

4.5

10

20

–6

70

0.6

栅极驱动（栅极 - 源极）

源极 - 漏极电压调节（IN -OUT ）

门上拉电流

I

GATE （下）

GATE下拉电流

t

关闭

V

SHDN （ TH ）

V

SHDN （ FLT ）

I

SHDN

栅极关断延迟时间

SHDN

引脚输入门限

SHDN

引脚浮置电压

SHDN

引脚电流

0.6

0.6

–1

–0.5

–0.4

–0.9

1.2

1.75

–2.6

–2.6

–0.8

100

–1.8

V

SOURCE （ TH ）

反向源阈值GATE关闭

注1 ：

强调超越上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对

最大额定值条件下工作会影响器件

可靠性和寿命。

注2 。

所有流进针是积极的，所有的电压参考

V

SS

除非另有规定ED 。

注3 。

内部钳位限制OUT引脚到高于最低100V的

V

SS

。将该引脚驱动比1 mA的电流的电流可能会损坏设备。

注4 。

内部钳位限制GATE引脚高于最低10V的

在100V或高于V

SS

。驱动这个引脚的电压超过钳位可

损坏设备。

4359f

3

LTC4359

典型性能特性

在当前的调控中

200

50

电流关断

IN =源= OUT

SHDN

= 0V

10

在关断电源电流

IN =源= OUT

SHDN

= 0V

150

40

I

来源

(A)

T

A

= 125°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= –40°C

0

20

40

V

IN

(V)

60

80

4359 G02

8

I

IN

(A)

100

I

IN

(A)

30

6

20

4

T

A

= 125°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= –40°C

0

20

40

V

来源

(V)

60

80

4359 G03

50

10

2

0

0

20

40

V

IN

(V)

60

80

4359 G01

0

0

输出电流

VS正向电压降

160

V

IN

= 48V

V

IN

= 12V

V

IN

= 4V

200

源出电流

VS正向电压降

IN = SOURCE

–2

共负电流

VS负输入电压

IN =源=

SHDN

I

IN

+ I

来源

+ I

SHDN

（MA ）

1

4359 G05

120

I

来源

(A)

I

OUT

(A)

150

V

来源

＆ GT ; 12V

100

–1.5

80

–1

50

V

来源

= 4V

0

40

–0.5

0

–1

–0.5

0

V

SD

(V)

0.5

1

4359 G04

–50

–1

–0.5

0

V

SD

(V)

0.5

0

0

–10

–20

电压（V）的

–30

–40

4359 G06

栅电流

VS正向电压降

–20

–10

0

V

门

(V)

I

门

(A)

10

20

30

40

–50

0

V

IN

= V

来源

= 12V

V

门

= V

IN

+2.5V

15

栅极驱动VS栅极电流

IN = SOURCE

V

IN

＆ GT ; 12V

V

IN

= 8V

t

关闭

（纳秒）

600

800

栅极关断时间

VS栅极电容

V

IN

= 12V

V

SD

= 0.1V

–1V

10

400

5

V

IN

= 4V

200

0

50

V

SD

（毫伏）

100

150

4359 G07

0

–5

I

门

(A)

–10

–15

4359 G08

0

0

2

6

4

C

门

（ NF）

8

10

4359 G09

4359f

4

LTC4359

典型性能特性

栅极关断时间

VS初步铁马

200

V

IN

= 12V

V

SD

= V

初始

–1V

1500

栅极关断时间

VS决赛高速

V

IN

= 12V

V

SD

= 45mV

10

V

最终科幻

8

电流（A ）

1000

负载电流

VS正向电压降

FDMS86101

FDB3632

6

150

t

PD

（纳秒）

t

PD

（纳秒）

100

500

50

4

FDS3732

2

0

0

0.25

0.5

V

初始

(V)

0.75

1

4359 G10

0

0

–0.25

–0.5

V

最终科幻

(V)

–0.75

–1

4359 G11

0

0

25

50

V

SD

(V)

75

100

4359 G12

引脚功能

裸露焊盘（ DCB封装） ：

裸露焊盘可

悬空或连接到V

SS

.

门：

栅极驱动输出。 GATE引脚拉高， enhanc-

荷兰国际集团的N沟道MOSFET ，当负载电流产生

以上为30mV的MOSFET两端的电压降。

当负载电流小的栅极驱动为有效状态

保持30mV的MOSFET两端。如果反向电流

流，快速下拉电路的门连接到

0.3μs内源极引脚，关断MOSFET 。

IN：

电压检测和电源电压。 IN是阳极

理想二极管。感觉到在这个引脚上的电压来

控制MOSFET栅极。

NC （ MS封装） ：

无连接。内部不

连接。

OUT ：

漏极电压检测。 OUT是理想的正极

二极管和共用输出当多个LTC4359s

被配置为一个理想二极管或。它连接或者二

rectly或通过一个2K的电阻N型沟道的漏极

MOSFET。感觉到在这个引脚上的电压来控制

MOSFET栅极。

SHDN ：

关断控制输入。的LTC4359可以关闭

下降到低电流模式通过拉

SHDN

下面的脚

0.6V 。拉2V以上该引脚或断开它允许

内部2μA电流源接通的一部分。维护

董事会泄漏小于100nA的正常运行。

该

SHDN

销可拉至100V或向下 - 40V

相到V

SS

而不损坏。如果关机功能

不使用时，连接

SHDN

至IN 。

资料来源：

源连接。源是返回路径

的栅极快速下拉。连接该引脚尽量靠近

可以将外部N沟道MOSFET的源极。

V

SS

:

电源电压返回和设备接地。

4359f

5

LTC4365

UV， OV和反向

供应保护控制器

特点

n

n

n

n

n

n

n

n

n

n

n

描述

此外，LTC

4365保护应用中的电源

输入电压可能过高，过低或者甚至是负的。

它通过控制一对的栅极电压执行此

外部的N沟道MOSFET ，以确保输出

保持一个安全的操作范围内。

该LTC4365可承受-40V之间的电压

60V ，并具有2.5V到34V的工作范围内，而

在正常工作功耗仅为125μA 。

两个比较器输入允许的配置

使用过压（OV ）和欠压（UV）设定点

外部电阻分压器。一个停机引脚提供外部

控制为启用和禁用的MOSFET以及

为将器件置于低电流关断状态。一

故障输出提供栅极引脚拉低的状态。一

故障指示，当器件处于关断或输入

电压是UV和OV设定点之外。

L,

LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，

采用ThinSOT封装，没有R

SENSE

和热插拔是凌特公司的商标。所有其他

商标是其各自所有者的财产。

宽工作电压范围： 2.5V至34V

过压保护至60V

电源反向保护，以-40V

块50Hz和60Hz交流电源

没有输入电容器或TVS最需要的

应用

可调节的欠压和过压

保护范围

电荷泵增强外部N沟道MOSFET

低工作电流： 125μA

低关断电流：10μA

故障状态输出

紧凑的8引脚，采用3mm x 2mm DFN封装和

TSOT -23 （采用ThinSOT ）封装

应用

n

n

n

n

便携式仪表

工业自动化

笔记本电脑

汽车

典型用途

12V汽车应用

V

IN

12V

Si4946

V

OUT

3A

30V

有效

窗口

GND

V

OUT

UV = 3.5V

OV = 18V

V

IN

负荷逆向和过压保护在V

IN

V

IN

510k

1820k

UV

243k

OV

59k

门

LTC4365

V

OUT

V

OUT

SHDN

10V/DIV

故障

–30V

V

IN

1s/DIV

GND

4365 TA01a

4365 TA01b

OV = 18V

UV = 3.5V

4365f

1

LTC4365

绝对最大额定值

电源电压（注1 ）

V

IN

.................................................. ........ -40V至60V

输入电压（注3 ）

UV ，

SHDN

.............................................. -0.3V到60V

OV ................................................. ........... -0.3V至6V

V

OUT

.................................................. ..... -0.3V至40V

输出电压（注4 ）

故障

.................................................. ...... -0.3V至60V

门................................................. ...... -40V至45V

工作环境温度范围

LTC4365C ................................................ 0 ° C至70℃

LTC4365I .............................................- 40℃至85℃

LTC4365H .......................................... -40 ° C至125 °

存储温度范围.................. -65℃ 150℃

焊接温度（焊接， 10秒）

对于TSOT只有............................................... .... 300℃

引脚配置

顶视图

GND 1

OV 2

UV 3

V

IN

4

9

GND

8

7

6

5

SHDN

故障

V

OUT

门

顶视图

V

IN

UV

OV

GND

1

2

3

4

8

7

6

5

门

V

OUT

故障

SHDN

DDB套餐

8引脚（3毫米

×

2毫米）塑料DFN

T

JMAX

= 150°C,

θ

JA

= 76 ° C / W

裸露焊盘（引脚9 ）印刷电路板接地连接可选

TS8包装

8引脚塑料TSOT -23

T

JMAX

= 150°C,

θ

JA

= 195 ° C / W

订购信息

无铅完成

卷带式（ MINI ）

LTC4365CDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365HDDB#TRMPBF

LTC4365CTS8#TRMPBF

LTC4365ITS8#TRMPBF

LTC4365HTS8#TRMPBF

磁带和卷轴

LTC4365CDDB#TRPBF

LTC4365IDDB#TRPBF

LTC4365HDDB#TRPBF

LTC4365CTS8#TRPBF

LTC4365ITS8#TRPBF

LTC4365HTS8#TRPBF

最热*

LFKS

LFKS

LFKS

LTFKT

LTFKT

LTFKT

包装说明

8引脚（3毫米× 2毫米）塑料DFN

8引脚（3毫米× 2毫米）塑料DFN

8引脚（3毫米× 2毫米）塑料DFN

8引脚塑料TSOT -23

8引脚塑料TSOT -23

8引脚塑料TSOT -23

温度范围

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

-40_C到125_C

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

-40_C到125_C

TRM = 500块。 *温度等级是identi网络版通过在包装盒上的标签。

咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。

咨询LTC营销上领先的基础网络光洁度部分信息。

有关无铅零件标记的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/leadfree/

有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/tapeandreel/

4365f

2

LTC4365

电气特性

符号

V

IN

, V

OUT

V

IN

I

VIN

输入电压范围

输入电源电流

工作范围

保护范围

SHDN

= 0V, V

IN

= V

OUT

， -40 ° C至85°C

SHDN

= 0V, V

IN

= V

OUT

， -40 ° C至125°C

SHDN

= 2.5V

V

IN

= –40V, V

OUT

= 0V

V

IN

升起

SHDN

= 0V, V

IN

= V

OUT

SHDN

= 2.5V, V

IN

= V

OUT

V

IN

= –40V, V

OUT

= 0V

V

IN

= V

OUT

= 5.0V ，我

门

= –1μA

V

IN

= V

OUT

= 12V至34V ，我

门

= –1μA

GATE = V

IN

= V

OUT

= 12V

快速关机， GATE = 20V ，V

IN

= V

OUT

= 12V

轻柔关闭， GATE = 20V ，V

IN

= V

OUT

= 12V

C

门

= 2.2nF ， UV或OV故障

C

门

= 2.2nF ，

SHDN

下降，V

IN

= V

OUT

= 12V

V

IN

= 12V ，功率为好

V

门

> 0V

UV下降

→

ΔV

门

= 0V

OV上升

→

ΔV

门

= 0V

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

l

该

l

表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子

温度范围，否则仅指在T

A

= 25°C 。 V

IN

= 2.5V至34V ，除非另有说明。 （注2 ）

参数

条件

民

2.5

–40

10

10

25

–1.2

1.8

2.2

6

100

20

3

7.4

–12

31

50

150

26

492.5

492.5

20

20

3.6

8.4

–20

50

90

2

250

36

500

500

25

25

1

典型值

最大

34

60

50

100

150

–1.8

2.4

30

250

50

4.2

9.8

–30

72

150

4

350

49

507.5

507.5

32

32

±10

2

单位

V

V

μA

μA

μA

mA

V

μA

μA

μA

V

V

μA

mA

μA

μs

μs

ms

mV

mV

mV

mV

nA

μs

I

VIN （R）的

V

IN（ UVLO ）

I

VOUT

反向输入电源电流

输入欠压锁定

V

OUT

输入电流

门

ΔV

门

I

GATE （ UP ）

N沟道栅极驱动

（GATE -V族

OUT

)

N沟道栅极上拉电流

I

GATE （ FAST ）

N沟道栅极快速下拉电流

I

GATE （ SLOW）

N沟道栅极温和下拉电流

t

GATE （ FAST ）

N沟道栅极快速关断延迟

t

GATE （ SLOW）

N沟道温和延时关闭

t

恢复

UV，OV

V

UV

V

OV

V

UVhyst

V

OVhyst

I

泄漏

t

故障

SHDN

V

SHDN

I

SHDN

t

开始

t

SHDN （ F）

t

LOWPWR

故障

V

OL

I

故障

故障

输出电压低

故障

漏电流

SHDN

输入阈值

SHDN

输入电流

延迟走出关断模式

SHDN

to

故障

断言

延迟从关闭到低功耗工作

UV输入阈值电压

OV输入阈值电压

UV输入滞后

OV输入滞后

UV，OV漏电流

UV，OV故障传播延迟

GATE恢复延迟时间

l

l

l

l

l

l

V = 0.5V, V

IN

= 34V

过驱动= 50mV的

V

IN

= V

OUT

= 12V

SHDN

下降到ΔV

门

= 0V

SHDN

= 0.75V, V

IN

= 34V

SHDN

瑞星ΔV

门

> 0V ，V

IN

= V

OUT

= 12V

V

IN

= V

OUT

= 12V

V

IN

= V

OUT

= 12V

I

故障

= 500μA

故障

= 5V, V

IN

= 34V

l

l

l

l

l

0.4

400

26

0.75

800

1.5

36

0.15

±20

1.2

±10

1200

3

55

0.4

V

nA

μs

μs

ms

V

nA

l

l

注： 1 。

强调超越上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对

最大额定值条件下工作会影响器件

可靠性和寿命。

注2 。

所有流进针是积极的;所有电压参考

接地，除非另有说明。

注3 。

这些引脚可以通过一个电阻连接到低于-0.3V电压

限制以下1毫安的电流。

注4 。

GATE引脚参考V

OUT

并且不超过44V的

在整个工作范围内。

4365f

3

LTC4365

典型性能特性

V

IN

工作电流与

温度

100

SHDN

= 2.5V

V

OUT

= V

IN

80

V

IN

= 34V

20

I

VIN

(μA)

I

VIN

(μA)

70°C

15

25°C

10

20

V

IN

= 2.5V

0

–50

–25

75

25

0

50

温度（℃）

100

125

–45°C

5

0

0

5

10

20

15

V

IN

(V)

–1200

25°C

I

VIN

(μA)

60

V

IN

= 12V

–400

–45°C

30

V

IN

= V

OUT

SHDN

= 0V

25

125°C

0

V

IN

关断电流与V

IN

400

V

IN

电流与V

IN

（ -40至60V ）

SHDN

= UV = 0V

25°C

40

–800

125°C

25

30

35

–1600

–50

–25

0

V

IN

(V)

25

50

75

4365 G03

4365 G01

4365 G02

V

OUT

工作电流与

温度

200

SHDN

= 2.5V

V

IN

= V

OUT

160

V

OUT

= 34V

I

VOUT

(μA)

I

VOUT

(μA)

120

V

OUT

= 12V

80

15

20

V

OUT

关断电流与

温度

25

SHDN

= 0V

V

IN

= V

OUT

20

V

OUT

电流与倒V

IN

V

OUT

= 0V

–45°C

I

VOUT

(μA)

V

OUT

= 34V

15

25°C

10

125°C

5

V

OUT

= 2.5V

10

V

OUT

= 12V

5

40

V

OUT

= 2.5V

0

–50

0

–50

–25

0

75

25

50

温度（ C° ）

100

125

–25

0

25

75

50

温度（ C° ）

100

125

0

0

–10

–30

–20

V

IN

(V)

–40

–50

4365 G06

4365 G04

4365 G05

12

10

8

ΔV

门

(V)

6

4

2

0

栅极驱动VS V

IN

10

V

OUT

= 0V

8

V

OUT

= V

IN

ΔV

门

(V)

6

栅极驱动与温度

25

V

IN

= V

OUT

= 34V

I

门

= –1μA

V

IN

= V

OUT

= 12V

I

GATE （ UP ）

(μA)

20

GATE电流与栅极驱动

V

IN

= V

OUT

= 12V

125°C

15

25°C

4

10

–45°C

5

2

中T = 25℃

I

门

= –1μA

0

5

10

15

20

V

IN

(V)

25

30

35

V

IN

= V

OUT

= 2.5V

0

–50

–25

75

25

0

50

温度（℃）

100

0

125

0

2

4

6

ΔV

门

(V)

8

10

4365 G09

4365 G07

4365 G08

4365f

4

LTC4365

典型性能特性

UV阈值与温度

507.5

V

IN

= V

OUT

= 12V

505.0

502.5

V

UV

（毫伏）

500.0

497.5

495.0

492.5

–50

V

OV

（毫伏）

505.0

0.75

502.5

500.0

497.5

0.25

495.0

492.5

–50

0

–75

UV

OV

–25

75

0

50

25

温度（℃）

100

125

–25

75

0

50

25

温度（℃）

100

125

–25

75

25

125

温度（℃）

175

4365 G12

OV阈值与温度

507.5

V

IN

= V

OUT

= 12V

1.00

UV / OV泄漏与温度

V

UV / OV

= 0.5V

V

IN

= 12V

I

泄漏

（ nA的）

4365 G11

0.50

4365 G10

UV / OV传输延迟VS

OVERDRIVE

20

V

IN

= V

OUT

= 12V

中T = 25℃

50

恢复延迟时间VS

温度

50

恢复延迟时间与V

IN

–45°C

125°C

25°C

30

16

t

恢复

（女士）

40

V

IN

= 34V

t

恢复

（女士）

100

125

V

IN

= 12V

40

t

故障

(μs)

12

30

8

20

V

IN

= 2.5V

20

4

10

10

0

1

10

100

过载（MV ）

1000

4365 G13

0

–50

–25

75

25

0

50

温度（℃）

0

0

5

10

20

15

V

IN

(V)

25

30

35

4365 G15

4365 G14

AC阻塞

1V/DIV

V

OUT

GND

5V/DIV

导通时间

100μF 12Ω负载上的v

OUT

,

60V SI9945 DUAL的N沟道MOSFET

V

IN

= 12V

V

OUT

GND

10μF 1K负载上的v

OUT

,

双60V的N沟道MOSFET

2.5ms/DIV

4365 G16

关断时间

门

5V/DIV

V

OUT

GND

3V/DIV

SHDN

250μs/DIV

4365 G18

门

100μF 12Ω负载上的v

OUT

,

60V SI9945 DUAL的N沟道MOSFET

V

IN

20V/DIV

GND

门

3V/DIV

SHDN

4365 G17

GND

250μs/DIV

GND

4365f

5