位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第231页 > KAB03D100M-TNGP > KAB03D100M-TNGP PDF资料 > KAB03D100M-TNGP PDF资料1第26页

KAB0xD100M - TxGP
硬件复位
SEC只
MCP内存
在NOR闪存通过驱动RESET球V提供了一个重置功能
IL
.
RESET(复位)球必须保持低(Ⅴ
IL
),用于至少
为500ns 。当RESET球被拉低,正在进行的任何操作将被终止,内部状态机将被重置
到20us的后待机模式。如果在编程操作期间发生了硬件复位,在该特定位置的数据将
丢失。一旦RESET球被拉高,设备需要的唤醒时间为200ns ,直到输出是有效的读访问。此外,请注意
所有的数据输出球是三态的复位脉冲的持续时间。
在RESET球可连接到系统复位球。如果在内部程序中发生系统复位和擦除程序中,
设备将被自动重置为读模式;这将使系统微处理器读取从引导固件
在NOR闪存。
上电保护
为了避免Vcc的过程中的一个写入周期开始
R
开机,RESET低,必须在上电期间被断言。复位后变为高电平时,
装置被复位到读模式。
VCC低于
R
写禁止
为了避免Vcc的过程中的一个写入周期开始
R
上电和断电,写周期被锁定为Vcc的
R
比1.8V少。若VCC
R
& LT ; V
LKO
(锁定电压) ,命令寄存器和所有内部程序/擦除电路都被禁止。在此条件下的器件
自动复位到读模式。后续写入将被忽略,直到Vcc的
R
电平大于V
LKO
。它是用户的responsi-
相容性,以确保控制球,在逻辑上是正确的,当以防止无意识的Vcc
R
高于1.8V 。
写脉冲扰动保护
噪声脉冲小于上CE为5ns (典型值)
R
, OE ,否则我们将不会启动写周期。
逻辑INHIBIT
OE = V :写作是在以下任一条件抑制
IL
,
CE
R
= V
IH
或WE = V
IH
.
要开始写, CE
R
和WE
必须是"0" ,而OE为"1" 。
黎民NOR闪存接口
通用闪存Momory接口的做作,增加主机系统软件的兼容性。它所提供的特定信息
灰的设备,如存储器大小,字节/字结构和电气特性。一旦该信息已被获得,
系统软件就会知道哪些命令集来使用,使闪存写入,擦除块,并控制闪光灯组件。
当系统写入CFI命令( 98H ),以解决55H字模式(或字节模式地址:AAH ) ,器件进入
CFI模式。然后,如果系统将写入表14中示出的地址时,系统可以读取的CFI数据。查询数据总是
呈现在只有最低阶数据输出( DQ0-7 ) 。在字( X16 )模式,最高数据输出( DQ8-15 )为00h 。终止
该操作中,系统必须写入复位命令。
- 26 -
修订1.11
2003年8月