DCR1840Y85
半导体
130
最大允许的情况下，T - （ ° C）
例
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
o
最大heatsik温度T
散热器
- ( C)
130
特区
180
120
90
60
30
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
特区
180
120
90
60
30
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV
) - (A)
图7最大允许情况下，
双面冷却 - 矩形波
25
图8允许的最大散热片的温度，
双面冷却 - 矩形波
1
0.612
0.7009
0.6728
2
1.7721
1.9388
2.0168
3
3.1053
3.61
4
2.8608
1.6323
7.1383
9.0612
5.7274
C /千瓦）
双面cooledR
i
(°
T
i
(s)
C /千瓦）
阳极侧冷却
i
(°
热阻抗，Z
日（J -C ）
- ( °
C /千瓦）
0.010332 0.056415 0.333082
0.011328 0.065993 0.419695
0.010954 0.065544
0.30379
20
双面冷却
阳极侧冷却
阴极双面冷却
T
i
(s)
C /千瓦）
阴极侧冷却器
i
(°
T
i
(s)
Z
th
=
[R
i
×（ 1 - EXP （ T / T
i
))] [1]
1.7306 18.6391
15
10
R
日（J -C ）
传导
表显示了热阻R的增量
日（J -C ）
当该装置
工作在比其他的直流导通角
5
°
180
120
90
60
30
15
双面冷却
Z
th
(z)
正弦波。
0.94
1.09
1.24
1.38
1.49
1.54
RECT 。
0.65
0.92
1.07
1.23
1.40
1.49
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间（s）
°
180
120
90
60
30
15
阳极侧冷却
Z
th
(z)
正弦波。
0.94
1.08
1.23
1.37
1.47
1.52
RECT 。
0.64
0.91
1.06
1.22
1.38
1.47
阴极双面冷却
Z
th
(z)
°
180
120
90
60
30
15
正弦波。
0.94
1.08
1.24
1.37
1.48
1.53
RECT 。
0.64
0.91
1.06
1.22
1.39
1.48
图9最大（极限）瞬态热阻抗 - 结到外壳（ °
C /千瓦）
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