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DCR1840Y85
相位控制晶闸管
初步信息
DS5767-1.2 2005年5月( LN23936 )
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
8500V
1840A
25000A
1500V/s
300A/s
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
*
较高的dV / dt可用的选项
电压额定值
第一部分和
订购
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
8500
8000
7500
7000
条件
DCR1840Y85
DCR1840Y80
DCR1840Y75
DCR2220Y70
T
vj
= -40 ° C至125°C ,
I
DRM
= I
RRM
= 300毫安,
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
订购信息
订购时,选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如:
外形类型代码:Y
DCR1840Y85
(见包的详细信息以获取更多信息)
注:请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
图。 1封装外形
1/9
www.dynexsemi.com
DCR1840Y85
半导体
电流额定值
T
= 60 ° C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
参数
测试条件
马克斯。
单位
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1840
2890
2770
A
A
A
浪涌额定值
符号
I
TSM
It
2
参数
浪涌(非重复)通态电流
我吨融合
2
测试条件
10ms的半正弦波,T
= 125° C
V
R
= 0
马克斯。
25.0
3.125
单位
kA
MA s
2
热学和力学额定值
符号
R
日(J -C )
参数
热阻 - 结到管壳
测试条件
双侧冷却
单面冷却
DC
阳极DC
阴极DC
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
锁模力54.0kN
(带安装化合物)
T
vj
虚拟结温
导通状态(导通)
反向(阻塞)
T
英镑
F
m
存储温度范围
锁模力
双面
单面
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-55
48
马克斯。
0.00835
0.0134
0.023
0.002
0.004
135
125
125
59
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
kN
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DCR1840Y85
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
= 125° C
到67 %的V
DRM
, T
j
= 125°C ,门打开
从67 %V
DRM
2倍我
T( AV )
门源30V , 10 ,
t
r
< 0.5μs的,T
j
= 125° C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
300
1500
150
300
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T( TO )
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
100A to1000A在T
= 125° C
1000A到7200A在T
= 125° C
100A至1000A在T
= 125° C
1000A到7200A在T
= 125° C
V
D
= 67% V
DRM
,门源30V , 10
t
r
= 0.5μs的,T
j
= 25° C
-
-
-
-
待定
0.9
1.3
0.888
0.55
待定
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125°C ,V = 200V ,的di / dt = 1A / μs的,
R
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
-
1200
s
Q
S
I
L
I
H
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 2000A ,T
j
= 125°C , di / dt的 - 1A / μs的,
T
j
= 25 ° C,V = 5V
D
T
j
= 25℃ ,R =
∞,
I
TM
= 500A ,我
T
= 5A
克-K
4800
待定
待定
8000
待定
待定
C
mA
mA
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DCR1840Y85
半导体
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
V
GD
I
GT
I
GD
参数
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
门非触发电流
测试条件
V
DRM
= 5V ,T
= 25° C
在V
DRM ,
T
= 125° C
V
DRM
= 5V ,T
= 25° C
V
DRM
= 5V ,T
= 25° C
马克斯。
1.5
待定
250
待定
单位
V
V
mA
mA
曲线
7000
瞬时通态电流I
T
- (A)
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0.0
分钟125°C
最高125°C
分钟25℃
最高25℃
2.0
4.0
6.0
瞬时通态电压V
T
- (V)
图2最大&最低的通态特性
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN (我
T
) + C.I
T
+ D.√I
T
哪里
A = 0.398265
B = 0.121095
C = 0.000524
D = -0.000007
这些值是有效的对于T
j
= 125°C ,因为我500A到7200A
T
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DCR1840Y85
半导体
10
9
130
120
180
120
90
60
30
最大外壳温度,T
(
o
C )
2500
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
意味着功耗 - (千瓦)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
2000
180
120
90
60
30
0
500
1000
1500
2000
2500
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图3通态功耗 - 正弦波
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图4最大允许情况下,
双面冷却 - 正弦波
130
最大的散热片温度,T
散热器
- ( C )
12
180
120
90
60
30
o
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1000
1500
11
10
意味着功耗 - (千瓦)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
特区
180
120
90
60
30
2000
2500
0
0
500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图5.最大允许的散热器温度,
双面冷却 - 正弦波
图6通态功耗 - 矩形波
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相位控制晶闸管
初步信息
2008年DS5767-1.6月( LN26218 )
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
8500V
1840A
25000A
1500V/s
300A/s
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
电压额定值
第一部分和
订购
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
8500
8000
7500
7000
条件
*
较高的dV / dt可用的选项
DCR1840Y85*
DCR1840Y80
DCR1840Y75
DCR1840Y70
T
vj
= -40°至125°
C
C,
I
DRM
= I
RRM
= 300毫安,
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
0
0
* 8200V @ -40℃ , 8500V @ 0℃
订购信息
订购时,选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如:
DCR1840Y85
注:请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
外形类型代码:Y
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 1封装外形
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半导体
电流额定值
T
= 60° ,除非另有说明
C
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
参数
测试条件
马克斯。
单位
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1840
2890
2770
A
A
A
浪涌额定值
符号
I
TSM
It
2
参数
浪涌(非重复)通态电流
我吨融合
2
测试条件
10ms的半正弦波,T
= 125°
C
V
R
= 0
马克斯。
25.0
3.125
单位
kA
MA s
2
热学和力学额定值
符号
R
日(J -C )
参数
热阻 - 结到管壳
测试条件
双侧冷却
单面冷却
DC
阳极DC
阴极DC
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
锁模力54.0kN
(带安装化合物)
T
vj
虚拟结温
导通状态(导通)
反向(阻塞)
T
英镑
F
m
存储温度范围
锁模力
双面
单面
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-55
48
马克斯。
0.00835
0.0134
0.023
0.002
0.004
135
125
125
59
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C
°
C
°
C
kN
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半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
= 125°
C
到67 %的V
DRM
, T
j
= 125 °门打开
C,
从67 %V
DRM
2倍我
T( AV )
门源30V , 10 ,
t
r
< 0.5μs的,T
j
= 125°
C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
300
1500
150
300
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T( TO )
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
100A to1000A在T
= 125°
C
1000A到7200A在T
= 125°
C
100A至1000A在T
= 125°
C
1000A到7200A在T
= 125°
C
V
D
= 67% V
DRM
,门源30V , 10
t
r
= 0.5μs的,T
j
= 25°
C
-
-
-
-
-
0.9
1.3
0.888
0.55
3
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125° V
R
= 200V ,的di / dt = 1A / μs的,
C,
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
-
1200
s
Q
S
I
L
I
H
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 2000A ,T
j
= 125 °的di / dt - 1A / μs的,
C,
T
j
= 25° V
D
= 5V
C,
T
j
= 25° R
克-K
= , I
TM
= 500A ,我
T
= 5A
C,
4800
-
-
8000
3
300
C
A
mA
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半导体
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
V
GD
I
GT
I
GD
参数
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
门非触发电流
测试条件
V
DRM
= 5V ,T
= 25°
C
在50 %的V
DRM ,
T
= 125°
C
V
DRM
= 5V ,T
= 25°
C
在50 %的V
DRM ,
T
= 125°
C
马克斯。
1.5
0.4
250
15
单位
V
V
mA
mA
曲线
7000
瞬时通态电流I
T
- (A)
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0.0
分钟125 °
C
最大125 °
C
最小25°
C
最高25℃
C
2.0
4.0
6.0
瞬时通态电压V
T
- (V)
图2最大&最低的通态特性
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN (我
T
) + C.I
T
+ D 。我
T
哪里
A = 0.398265
B = 0.121095
C = 0.000524
D = -0.000007
这些值是有效的对于T
j
= 125 ° ,因为我
T
500A到7200A
C
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半导体
10
9
130
120
180
120
90
60
30
最大外壳温度,T
( C )
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
意味着功耗 - (千瓦)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
2000
2500
180
120
90
60
30
o
0
500
1000
1500
2000
2500
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图3通态功耗 - 正弦波
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图4最大允许情况下,
双面冷却 - 正弦波
12
130
最大的散热片温度,T
散热器
- ( C )
o
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1000
1500
意味着功耗 - (千瓦)
180
120
90
60
30
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
特区
180
120
90
60
30
2000
2500
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图5.最大允许的散热器温度,
双面冷却 - 正弦波
图6通态功耗 - 矩形波
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    -
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    -
    -
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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联系人:陈先生
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120
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原装现货上海库存,欢迎查询
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18+
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原装现货 量大可订货 欢迎询价
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联系人:刘先生
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联系人:李先生 李小姐
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丹尼斯
24+
1020
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