NCP3170
输出电流。损失中的输入电容就可以计算
用下面的等式：
P
CIN
+
CIN
ESR
18毫瓦
+
10兆瓦
IIN
RMS
1.34 A
2
2
P
SW_TOT
+
P
SW
)
P
DS
)
P
RR
（当量24）
（当量20）的
P
DS
P
RR
P
SW
P
SW_TOT
CIN
ESR
IIN
RMS
P
CIN
=输入电容的等效串联
阻力
=输入电容RMS电流
=功率损耗，在输入电容器
=高侧MOSFET漏极到源极的损失
=高侧MOSFET的反向恢复
损失
=高侧MOSFET的开关损耗
=高侧MOSFET的总开关损耗
由于大的di /通过输入电容DT ，电解
或陶瓷应该被使用。如果钽电容必须
使用时，必须浪涌保护，否则电容失效
可能发生。
功率MOSFET的功耗
功耗，封装尺寸和热
环境驱动电源的设计。一旦
耗散是已知的，热阻抗可以是
计算出的，以防止在指定的最大结
被超过的最高环境温度下从
温度。
功耗有两个主要的贡献者：
导通损耗和开关损耗。高侧
MOSFET将同时显示的开关和传导
损失。低侧MOSFET的开关损耗会
因为它切换到接近零电压，而不是计算
损失是微不足道的。然而，体二极管的
低边MOSFET将遭受在二极管损耗
栅极驱动器的非重叠时间。
与高侧MOSFET开始时，电源
散热可以从近似计算：
P
D_HS
+
P
COND
)
P
SW_TOT
（当量21）的
第一学期从24式总开关损耗
与转向高边相关联的损失
MOSFET的导通和关断，并在漏极上的相应重叠
电压和电流。
P
SW
+
P
吨
)
P
花花公子
+
t
上升
)
t
秋天
1
2
I
OUT
V
IN
F
SW
（当量25）的
F
SW
I
OUT
P
SW
P
吨
P
花花公子
t
秋天
t
上升
V
IN
=
=
=
=
=
=
=
=
开关频率
负载电流
高边MOSFET的开关损耗
打开电源损耗
关闭电源损耗
MOSFET下降时间
MOSFET上升时间
输入电压
当计算的上升时间和下降的高的时间
侧MOSFET ，重要的是要知道的电荷
特性如图44所示。
P
COND
P
D_HS
P
SW_TOT
=导通损耗
=在高侧MOSFET功率损耗
=总开关损耗
VTH
在公式21中的第一项是其中的导通损耗
高侧MOSFET ，而它是上。
P
COND
+
I
RMS_HS
2
R
DS （ ON） _HS
（当量22）的
I
RMS_HS
= RMS电流高侧MOSFET
R
DS （ ON） _HS
=在高压侧MOSFET的电阻
P
COND
=导通功率损耗
从方程（5）使用RA而言，我
RMS
变为：
I
RMS_HS
+
I
OUT
D
1
)
ra
2
12
（当量23）的
图44.高侧MOSFET的总负责人
Q
GD
I
G1
Q
GD
V
CL
*
V
TH
R
HSPU
)
R
G
t
上升
+
+
（ EQ 。 26 ）
D
ra
I
OUT
I
RMS_HS
=
=
=
=
占空比
纹波电流比
输出电流
MOSFET RMS电流高侧
从公式21 ，第二项是总开关
损耗，并且可以从以下方程来近似。
IG1
Q
GD
R
HSPU
R
G
t
上升
V
CL
V
TH
=输出从高侧栅极驱动电流
= MOSFET栅漏栅极电荷
=驱动器上拉电阻
= MOSFET栅极电阻
= MOSFET上升时间
=钳位电压
= MOSFET的栅极阈值电压
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