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SQD90P04-9m4L
汽车P沟道
40 V （ D- S） 175℃ MOSFET
热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
1000
I
DM
有限
100
I
D
- 漏电流（ A）
100 μs
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒， 1
s,
10
s,
DC
限于由R
DS （ ON）
*
1
0.1
T
C
= 25
°C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
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