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SQD90P04-9m4L
汽车P沟道
40 V ( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
( )在V
GS
= - 10 V
R
DS ( ON)
( )在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
- 40
0.0094
0.0160
- 90
单身
S
特点
TrenchFET
功率MOSFET
低热阻封装
100 % R
g
和UIS测试
AEC- Q101标准
d
材料分类:
对于合规的定义,请参见
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TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订购信息
铅( Pb),且无卤
TO-252
SQD90P04-9m4L-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
连续源电流(二极管传导)
a
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 40
± 20
- 90
- 52
- 100
- 160
- 50
125
136
45
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳(漏)
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
50
1.1
单位
° C / W
1/7
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SQD90P04-9m4L
汽车P沟道
40 V ( D- S) 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
V
GS
= 0 V,I
D
= - 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS ( ON)
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 4.5 V
正向跨导
b
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
b
I
SM
V
SD
I
F
= - 50 A,V
GS
= 0 V
-
-
-
- 0.95
- 160
- 1.5
A
V
V
DD
= - 20 V ,R
L
= 0.4
I
D
- 50 A,V
= - 10 V ,R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= - 10 V
V
DS
= - 20 V,I
D
= - 50 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V , F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
1.4
-
-
-
-
5339
852
681
103
15
21
2.8
13
15
61
19
6675
1065
855
155
-
-
4.2
20
23
92
29
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= - 40 V
V
DS
= - 40 V ,T
J
= 125 °C
V
DS
= - 40 V ,T
J
= 175 °C
V
DS
-
5 V
I
D
= - 17 A
I
D
= - 50 A,T
J
= 125 °C
I
D
= - 50 A,T
J
= 175 °C
I
D
= - 14 A
- 40
- 1.5
-
-
-
-
- 50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.0075
-
-
0.0130
46
-
- 2.5
± 100
-1
- 50
- 150
-
0.0094
0.0147
0.0178
0.0160
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= - 15 V,I
D
= - 17 A
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
。独立运营的temperature.
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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SQD90P04-9m4L
汽车P沟道
40 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
100
V
GS
= 10 V直通5 V
80
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
100
80
60
V
GS
= 4 V
60
40
40
T
C
= 25 °C
20
T
C
= 125 °C
0
T
C
= - 55 °C
0
1
2
3
4
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
5
20
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2 V, 1 V
0
0
3
6
9
12
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
15
输出特性
100
0.05
传输特性
g
fs
- 跨导(S )
80
T
C
= - 55 °C
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
T
C
= 25 °C
60
0.04
0.03
40
T
C
= 125 °C
20
0.02
V
GS
= 4.5 V
0.01
V
GS
= 10 V
0
0
16
32
48
I
D
- 漏电流( A)
64
80
0.00
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流( A)
8000
7000
6000
- 电容(pF )
10
导通电阻与漏电流
C
国际空间站
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
8
I
D
= 50 A
V
DS
= 20 V
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
35
40
6
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
20
40
60
80
100
120
Q
g
- 总
费( NC )
电容
栅极电荷
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SQD90P04-9m4L
汽车P沟道
40 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
2.3
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
100
I
D
= 24 A
2.0
I
S
- 源电流( A)
10
T
J
= 150 °C
1
1.7
V
GS
= 10 V
1.4
0.1
T
J
= 25 °C
1.1
0.8
0.01
0.5
- 50
0.001
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
T
J
- 结温( ° C)
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
1.2
导通电阻与结温
0.10
1.1
源漏二极管正向电压
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.08
V
GS ( TH)
方差( V)
0.8
I
D
= 250 μA
0.06
0.5
I
D
= 5毫安
0.2
0.04
0.02
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
10
- 0.1
0
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75 100
T
J
- 温度(℃ )
125
150
175
导通电阻与栅极至源极电压
阈值电压
- 45
I
D
= 10毫安
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
- 47
- 49
- 51
- 53
- 55
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
漏源击穿与结温
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SQD90P04-9m4L
汽车P沟道
40 V ( D- S) 175℃ MOSFET
热额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
1000
I
DM
有限
100
I
D
- 漏电流( A)
100 μs
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒, 1
s,
10
s,
DC
限于由R
DS ( ON)
*
1
0.1
T
C
= 25
°C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS ( ON)
is
特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间( S)
归瞬态热阻抗,结到环境
5/7
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SQD90P04-9M4L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SQD90P04-9M4L
VISHAY
21+
6000
TO-252
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004330546 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
SQD90P04-9M4L
VISHAY
20+
6000
TO252
百分之百原装进口现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1852346906 复制 点击这里给我发消息 QQ:1743149803 复制

电话:0755-82732291
联系人:罗先生/严小姐/叶先生/林先生
地址:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A103
SQD90P04-9M4L
VISHAY/威世
23+
89630
TO-252
当天发货全新原装现货
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
SQD90P04-9M4L
VISHAY/威世
24+
11853
TO-252
全新原装正品现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SQD90P04-9M4L
VISHAY/威世
2443+
23000
TO-252
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SQD90P04-9M4L
VISHAY/威世
22+
32570
TO252
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1508814566 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
SQD90P04-9M4L
VISHAY
2425+
11280
TO-252
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ:1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ:2319599090 复制
电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
SQD90P04-9M4L
VISHAY
22+
20000
TO-252
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:474618840 复制 点击这里给我发消息 QQ:1091508947 复制
电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
SQD90P04-9M4L
VISHAY
21+
6000
原装国内现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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22+
32570
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全新原装正品/质量有保证
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