FDMS7606双N沟道PowerTrench
MOSFET
2011年5月
FDMS7606
双N沟道PowerTrench
MOSFET
Q1 ： 30 V ， 12 A， 11.4 mΩ的Q2 ： 30 V ， 22 A， 11.6毫欧
特点
Q1 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 11.4毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 11.5 A
最大
DS （ ON）
= 15.7毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
Q2 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 11.6毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
最大
DS （ ON）
= 17.2毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.5 A
符合RoHS
概述
该器件包括两个专门的N沟道MOSFET的
双MLP封装。交换节点已在内部
连接，可方便地放置和同步路由
降压转换器。该控制用MOSFET （Q1）和同步
MOSFET（ Q2），已被设计成提供最佳功率
EF网络效率。
应用
计算
通讯
负载的通用点
笔记本充电器
S2
S1/D2
D1
D1
顶部
电源56
D1
D1
S2
S2
G2
S2
S2
S2
5
6
7
Q2
4
D1
3
D1
2
D1
Q1
1
G1
G1
底部
Pin1
G2
8
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
- 连续（包装有限公司）
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功率消耗单操作
功率消耗单操作
工作和存储结温范围
（注4 ）
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
参数
Q1
30
±20
12
41
11.5
1a
Q2
30
±20
22
39
12
1b
60
33
2.5
1b
单位
V
V
A
50
25
2.2
1a
1c
mJ
W
°C
1.0
1.0
1d
-55到+150
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
57
1a
125
1c
4.6
50
1b
120
1d
4.7
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS7606
设备
FDMS7606
包
电源56
1
带尺寸
13 ”
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
www.fairchildsemi.com
2011仙童半导体公司
FDMS7606 Rev.C
