FDMB3900AN双N沟道功率沟槽
MOSFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
28
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6 V
I
D
,
漏电流（ A）
V
GS
= 4 V
4
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 4 V
21
V
GS
= 4.5 V
3
14
V
GS
= 3.5 V
2
V
GS
= 4.5 V
7
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0
0
1
2
3
V
DS
,
漏源极电压（ V）
4
0
0
7
14
21
28
I
D
,
漏极电流（ A）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
80
源导通电阻
(
m
Ω
)
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6
归
漏极至源极导通电阻
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
r
DS （ON ） ，
漏
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
60
I
D
= 7 A
40
T
J
= 125
o
C
20
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
2
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
28
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
30
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0 V
10
I
D
，漏电流（ A）
21
V
DS
= 5 V
T
J
= 150
o
C
14
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 25
o
C
7
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
0
1
2
3
4
5
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2011仙童半导体公司
FDMB3900AN Rev.C1
3
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