FDMB3900AN双N沟道功率沟槽
MOSFET
TM
FDMB3900AN
双N沟道功率沟槽
MOSFET
TM
25 V ， 7.0 A， 23毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 23毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 7.0 A
最大
DS （ ON）
= 33毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.5 A
开关速度快
低栅电荷
高性能沟道技术极低r
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
符合RoHS
2011年12月
概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
过程
已特别是针对减少导通状态
性，但保持出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和快速
开关是必需的。
销1
Q2
D2 5
D2 6
Q1
4 G2
3 S2
2 G1
1 S1
D1 7
的MicroFET 3X1.9
D1 8
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
功耗
功耗
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注1B ）
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
25
±20
7.0
28
1.6
0.8
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
80
165
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
3900
设备
FDMB3900AN
包
的MicroFET 3X1.9
带尺寸
7 ’’
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000台
2011仙童半导体公司
FDMB3900AN Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
