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D
R
A
FT
D
R
A
FT
恩智浦半导体
LPC81xM
FT
FT
D
D
R
R
A
A
FT
FT
D
D
R
R
A
FT
R
A
FT
D
D
D
R
A
D
R
A
D
D
R
A
FT
32位ARM Cortex -M0 +微控制器
FT
D
A
D
R
A
R
A
FT
D
R
FT
10.静态特性
表9 。
静态特性
T
AMB
=
40 C
+85
C,
除非另有规定ED 。
符号
V
DD
I
DD
参数
电源电压（芯
和外部导轨）
电源电流
主动模式;代码
条件
民
1.8
典型值
[1]
3.3
D
R
最大
3.6
R
A
FT
D
R
R
A
F
D
R
A
FT
A
FT
A
单位
V
FT
D
R
A
D
FT
D
R
A
while(1){}
从闪存执行
系统时钟= 12 MHz的;默认
模式; V
DD
= 3.3 V
系统时钟= 12 MHz的;
低电流模式; V
DD
= 3.3 V
系统时钟为30 MHz ;默认
模式; V
DD
= 3.3 V
系统时钟为30 MHz ;
低电流模式; V
DD
= 3.3 V
睡眠模式;
系统时钟= 12 MHz的;默认
模式; V
DD
= 3.3 V
系统时钟= 12 MHz的;
低电流模式; V
DD
= 3.3 V
系统时钟为30 MHz ;默认
模式; V
DD
= 3.3 V
系统时钟为30 MHz ;
低电流模式; V
DD
= 3.3 V
深度睡眠模式;
V
DD
= 3.3 V
掉电模式;
V
DD
= 3.3 V
深度掉电模式; V
DD
=
3.3 V
低功耗振荡器关闭
上/ WKT低功耗振荡器
唤醒启用
配置为数字引脚， RESET标准端口引脚，见
图11
I
IL
I
IH
I
OZ
V
I
低电平输入电流V
I
= 0 V ;片内上拉电阻
残
高级别输入
当前
断态输出
当前
输入电压
V
I
= V
DD
;片内上拉下来
电阻无效
V
O
= 0 V; V
O
= V
DD
;片上
上拉/下拉电阻禁用
V
DD
1.8 V ;可承受5V电压的引脚
除了PIO0_6
V
DD
1.8 V ;在3 V电压引脚
PIO0_6
V
DD
= 0 V
LPC81xM
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[6][7]
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[7][8]
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[7][8]
[2][3][4]
[6][7]
-
-
-
-
-
1.4
<tbd>
5.5
<tbd>
0.8
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
[2][3][4]
[6][7]
[2][3][4]
[6][7]
[2][3][4]
[6][7]
[2][3][9]
-
-
-
-
-
-
<tbd>
2.6
<tbd>
170
2
220
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
A
A
nA
[2][3][9]
[2][10]
<tbd>
-
nA
-
-
-
[12]
[14]
<tbd>
<tbd>
<tbd>
-
-
-
<tbd>
<tbd>
<tbd>
5
3.6
3.6
nA
nA
nA
V
0
0
0
V
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目标数据表
1.0版 - 2012年11月7日
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