US3407
P沟道30V的快速开关MOSFET
典型特征
30
-10V
25
20
-I
D
(A)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
V
GS
=-3.5V
2
0
0
1
2
3
4
5
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
125°C
-40°C
-8V
-5V
-4.5V
-I
D
(A)
8
6
4
25°C
10
V
DS
=-5V
-4V
100
归一化的导通电阻
1.6
V
GS
=-10V
I
D
=-4.3A
80
R
DS （ ON）
(m )
V
GS
=-4.5V
60
V
GS
=-10V
40
1.4
1.2
V
GS
=-4.5V
I
D
=-3A
1.0
0.8
20
0
2
4
I
F
6
= -6.5A ，的di / dt = 100A / S
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
200
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压
160
140
120
R
DS （ ON）
(m )
-I
S
(A)
100
I
D
=-4.3A
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
125°C
125°C
80
1E-03
25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
60
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-04
25°C
-40°C
-40°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
40
1E-05
性能和可靠性，恕不另行通知。
20
1E-06
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
GS
（伏）
-V
SD
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
图6 ：体二极管的性能
3
