US3407
P沟道30V的快速开关MOSFET
概述
该US3407是最高性能的沟
P沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
在US3407符合RoHS和绿色产品
要求， 100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
G
D
S
产品综述
BV
DSS
-30V
应用
R
DS （ ON）
78m
ID
-4.3A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
SOT23封装，引脚配置
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
A，F
当前
漏电流脉冲
功耗
A
B
符号
V
DS
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
最大
-30
±20
-4.3
-3.5
-20
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
结温和存储温度范围
热数据
参数
最大结点到环境
AF
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
吨10S
稳态
稳态
R
R
JA
JL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1
US3407
P沟道30V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250 A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.3A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.3A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.5
-30
39
55
61
11
-0.78
-1
-2
668
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
126
92
6
12.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-4.3A
6.4
2
4
7.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3.5 ,
R
根
=3
I
F
= -4.3A ，的di / dt = 100A / S
6.8
20
10
22
15
30
9
16
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
830
48
68
78
-2
民
-30
-1
-5
±100
-2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4.3A ，的di / dt = 100A / S
答： R的值
JA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
JA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
JL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用< 300秒脉冲，占空比0.5％以下，获得。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的电流额定值是基于吨10秒热阻率。
REV1 ：五月。 2008年
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2
US3407
P沟道30V的快速开关MOSFET
典型特征
30
-10V
25
20
-I
D
(A)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
V
GS
=-3.5V
2
0
0
1
2
3
4
5
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
125°C
-40°C
-8V
-5V
-4.5V
-I
D
(A)
8
6
4
25°C
10
V
DS
=-5V
-4V
100
归一化的导通电阻
1.6
V
GS
=-10V
I
D
=-4.3A
80
R
DS （ ON）
(m )
V
GS
=-4.5V
60
V
GS
=-10V
40
1.4
1.2
V
GS
=-4.5V
I
D
=-3A
1.0
0.8
20
0
2
4
I
F
6
= -6.5A ，的di / dt = 100A / S
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
200
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压
160
140
120
R
DS （ ON）
(m )
-I
S
(A)
100
I
D
=-4.3A
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
125°C
125°C
80
1E-03
25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
60
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-04
25°C
-40°C
-40°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
40
1E-05
性能和可靠性，恕不另行通知。
20
1E-06
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
GS
（伏）
-V
SD
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
图6 ：体二极管的性能
3
US3407
P沟道30V的快速开关MOSFET
10
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=-15V
I
D
=-4.3A
1200
1000
C
国际空间站
电容（pF）
800
600
400
C
OSS
200
0
0
C
RSS
6
12
18
24
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
30
24
功率（W）的
18
12
6
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10
R
DS （ ON）
有限
10 s
100 s
1
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
1s
10ms
100ms
0.1
0.1
1
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / S
10
100
-V
DS
（伏）
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
R
JA
=125°C/W
JA
.R
JA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
0.01
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
T
单脉冲
Z
JA
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
4
QQ：2881677436 复制
