LM3200
限流
（续）
模型
LPO3310-222MX
尺寸（ WxLxH ） [毫米]
3.3 x 3.3 x 1.0
供应商
Coilcraft公司
前部，该设备可能不能启动，如果过大的负荷是
连接到输出端时，该设备被使能。该
同步整流器是关闭的定时的电流限制模式。
计时电流限制可以防止电流失控可见
在某些产品中，当输出电压被拉低，在
严重过载的情况。
还提供了NFET的电流限制。这是一个近似
三方共同-500毫安。两个NFET和PFET导截止
负电流限制，直到PFET是在再次打开
下一个周期的开始。负电流限制
抑制过度的电感电流积聚。在旁路
模式，旁路电流限制为1000 MA（典型值） 。输出
电压下降时，旁路电流限制踢英寸
热过载保护
该LM3200具有热过载保护功能
操作以保护从短期误操作的设备和
过载的情况。当结温超过
围绕150°C ，该装置能抑制操作。无论是PFET
和NFET在PWM模式下关断时，与旁路
PFET处于旁路模式时关闭。当温度
低于130℃ ，恢复正常工作。经久
在热过载条件下操作，可能会损坏
装置，被认为是不好的做法。
如果一个较高的值电感器所使用的LM3200可能变得
不稳定，线下的过程中，或在拍摄展出的大，
负载和V
CON
瞬变。如果较小的电感值
造成子使用，斜坡补偿可能不足
谐波振荡。该设备已经过测试， IN-
取值范围为1.55μH至3.1μH至占导体值
电感公差。
对于低成本应用，非屏蔽电感筒子可以
被使用。对于噪声至关重要的应用，非屏蔽或
屏蔽电感绕线管应使用。好的做法是
布局董事会的脚印容纳两个
类型的设计灵活性。这允许一个替代
非屏蔽电感，在事件从低成本的噪音
梭车型是不可接受的。饱和时发生
从目前的磁通密度通过的绕组
电感器超过了电感器的芯材可以
支持与对应的磁场。这可能会导致
效率差，调节错误或应力到DC -DC转换
变频器像LM3200 。
电容的选择
的LM3200被设计成与陶瓷电容器使用。
用一个10 μF的陶瓷电容作为输入和一个4.7 μF
陶瓷电容器的输出。陶瓷电容，如
X5R ， X7R和B被推荐为两个过滤器。这些
提供小尺寸，成本了可靠性之间的最佳平衡
性和用于蜂窝电话和类似应用中的性能。
表2
列出了推荐电容和供应商。
表2.建议的电容和他们的供应商
模型
LMK212BJ475MG
C2012X5R1A475K
GRM188R61A475K
C3216X5R1A106K
供应商
太阳诱电
TDK
村田
TDK
应用信息
设置输出电压
该LM3200设有一个引脚控制的可变输出电压
年龄，消除了对外部反馈电阻。它
可以编程为输出电压从0.8V到3.6V
通过将电压在V
CON
针，如下面
公式：
V
OUT
= 3× V
CON
当V
CON
是0.267V和1.20V时，输出之间的电压
年龄比例将遵循V的3倍
CON
.
如果V
CON
超过1.20V （V
OUT
= 3.6V ） ，次谐波振荡
由于斜坡补偿不足化，可能会出现。
如果V
CON
电压小于0.267V （Ⅴ
OUT
= 0.8V ）时，输出
电压可能会由于调节到所需要的导通时间
小于最小导通时间（为50ns ） 。输出
电压可以低于0.8V ，提供有限的V
IN
范围
被使用。请参阅数据表曲线（低V
CON
电压Vs
输出电压）了解详细信息。该曲线是对于一个典型的部分和
可能有一部分一部分的变化输出电压更低
比0.8V在有限的V
IN
范围内。另外，若V
CON
is
比约少。 0.15V时， LM3200输出被关断，但
内部偏置电路仍然有效。
电感的选择
一个2.2 μH电感器的饱和电流超过额定值的940毫安
被推荐用于几乎所有的应用程序。电感器
性应该更好的效率小于0.3Ω 。
表1
列出了推荐的电感和供应商。
表1.建议的电感器和它们的供应商
模型
DO3314-222MX
MIPW3226D2R2M
尺寸（ WxLxH ） [毫米]
3.3 x 3.3 x 1.4
3.2 x 2.6 x 1.0
供应商
Coilcraft公司
TDK
FDK
该电容器的直流叠加特性必须是consid-
在选择时ERED 。如果更小的封装尺寸，如
0603被选中时，直流偏置可以通过降低上限值
高达40 ％ ，除了20％的公差和15％
温度系数。从请求直流偏置曲线
当使selection.The设备已经制造
设计成稳定的输出电容器低至3 μF
考虑到电容tolerances.This值包括DC
减少偏见，制造tolerences和临时coeffi-
cients 。
输入滤波电容提供了绘制的交流电流
的LM3200的在每个周期的第一部分中的PFET开关和
减少施加于输入电源的电压纹波
源。输出滤波电容器吸收的交流电感线圈
当前，有助于转录过程中保持稳定的输出电压
过性负载的变化，降低输出电压纹波。这些
电容器必须具有足够的容量来选择和
足够低的ESR （等效串联电阻）为按照
形成这些功能。的滤波电容器的ESR为
通常的一个主要因素电压纹波。
micro SMD封装组装和使用
使用的micro SMD封装，需要专门的主板
布局，精密装配，细致再流技术，如
详见国家半导体应用笔记1112 。
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www.national.com
VLF3010AT - 2R2M1R0 2.6× 2.8× 1.0
