LM3200微型，可调节，降压型DC- DC转换器，旁路模式的射频功率
放大器器
2004年11月
LM3200
微型，可调节，降压型DC- DC转换器
射频功率放大器旁路模式
概述
该LM3200是一个DC-DC转换器用于驱动优化的
从单节锂离子电池的RF功率放大器（PA ） 。它
下2.7V的输入电压5.5V到一个变量的步骤
0.8V至3.6V的输出电压。输出电压被设定
使用模拟输入（Ⅴ
CON
）用于优化的效率
射频功率放大器在不同功率电平。
该LM3200提供了卓越的功能和性能
手机和类似射频功放应用。固定
频率PWM模式最大限度地减少RF干扰。绕行
模式将内部旁路开关电源功放上
直接从电池。 LM3200既有强迫和自动
马蒂奇旁路模式。关断模式将设备关闭
并减少电池电量消耗至0.1 μA （典型值） 。该
LM3200可在一个10引脚无铅的micro SMD封装
年龄。高开关频率（ 2兆赫）允许使用纤巧
表面贴装元件。只有三个小巧的外部
表面贴装元件，电感器和两个陶瓷
电容器。
特点
2 MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）
可变输出电压（ 0.8V至3.6V ）
300毫安最大负载能力（ PWM模式）
500毫安最大负载能力（旁路模式）
PWM ，强制和自动旁路模式
高效率（ 96 ％典型值电压为3.6V
IN
, 3.2V
OUT
在120 mA）的
内部同步整流
n
10引脚micro SMD封装
n
电流过载保护
n
热过载保护
n
n
n
n
n
n
n
应用
n
n
n
n
手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型用途
20126101
2004美国国家半导体公司
DS201261
www.national.com
LM3200
连接图
20126102
20126103
顶视图
底部视图
10焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
见NS包装数TLP10NHA
订购信息
订单号
LM3200TL
LM3200TLX
包装标志（注）
XYTT SCUB
XYTT SCUB
供货方式
250个单位，磁带和卷轴
3000单位，磁带和卷轴
注意：
包装标志“ XY ”表示的日期代码。 “ TT ”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。
引脚说明
针＃
A1
B1
C1
D1
D2
D3
C3
名字
V
DD
V
CON
FB
BYP
EN
保护地
SW
描述
模拟电源输入。 0.1μF陶瓷电容，建议放在尽可能接近这个
销越好。 （图
1)
电压控制模拟输入。 V
CON
控制V
OUT
在PWM模式。设置： V
OUT
= 3× V
CON 。
别
离开浮动。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。 （图
1)
绕行。用这个数字来输入命令旁路模式运行。集BYP低正常
操作。
使能输入。设置此数字输入输入电压后高
＆ GT ;
2.7V的正常运行。对于关机，设置
低。
电源地
开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关峰值
限流规格LM3200的。
电源电压输入到内部PFET开关和旁路FET 。 （图
1)
旁路FET的漏极。连接到所述输出电容器。 （图
1)
不要离开浮动。
模拟和控制地面
B3
A3
A2
PV
IN
BYPOUT
SGND
www.national.com
2
LM3200
电气特性
（注2,7）中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度范围（ -25C
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，否则
规范适用于与LM3200 ： PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V 。 （续）
符号
V
IL
I
针
收益
I
CON
参数
逻辑低电平输入
门槛EN ， BYP
引脚下拉电流EN ， BYP = 3.6V
为EN ， BYP
V
CON
到V
OUT
收益
V
CON
输入漏
当前
V
CON
= 1.2V
5
3
10
条件
民
典型值
最大
0.4
10
单位
V
A
V/V
nA
下面的规格表中的条目由设计保证，如果元件值
在典型的应用电路中使用。
这些参数不是由生产测试保证。
符号
参数
条件
V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7 F,
R
负载
= 15
L = 2.2 uH容
V
CON
= 1V,
测试频率为100千赫
V
IN
= 3.6V, V
CON
= 0.267V,
C
OUT
= 4.7 μF ，R
负载
= 15
BYP =低到高
（注10 ）
10
15
民
典型值
25
最大
单位
s
系统特点
T
响应
时间V
OUT
上升
0.8V至3.4V的
PWM模式
C
CON
T
ON_BYP
V
CON
输入
电容
旁路FET导通
时间在旁路模式
自动旁路检测
延迟时间
15
pF
30
s
T
BYP
20
s
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
=
130℃ （典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）机器模型是一个200 pF的
电容直接排入每个引脚。
注5 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
X P
D- MAX
).
注6 ：
结点至环境热阻（ θ
JA
）取自热测量，阐述了JEDEC条件和指引下进行
标准JESD51-7 。一个1" X 1" ， 4层， 1.5盎司的Cu板被用于测量。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注8 ：
的LM3200设计用于移动电话应用中，导通上电后，由系统控制器和控制，其中对于一个要求
小封装尺寸否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定（ UVLO ）电路。因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平
直到输入电压大于2.7V 。
注9 ：
过电压保护（ OVP ）阈值为标称VOUT以上的电压，其中OVP比较器关闭PFET开关，而在PWM模式。
注10 ：
V
IN
进行比较，以设定的输出电压（V
OUT
） 。当V
IN
–V
OUT
低于V
BYPASS
比吨长
BYP
旁路FET导通和
开关场效应管关闭。这就是所谓的旁路模式。旁路模式退出时， V
IN
–V
OUT
超过V
BYPASS +
比吨长
BYP
和PWM模式的回报。
该滞后的旁路检测阈值V
BYPASS +
– V
绕行
- 永远是积极的，将约为200 mV （典型值） 。
注11 ：
关断电流包括PFET和旁路FET的漏电流。
注12 ：
电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期电流限制被激活） 。
参见数据表的曲线闭环数据及其变化的问候与电源电压和温度。闭环电流限制峰值电感电流
在应用电路中通过增加输出电流，直到输出电压降低10％进行测定。
注13 ：
旁路FET的电流限制被定义为负载电流在该FB电压比V 1V下
IN
.
www.national.com
4
LM3200
典型性能特性
25℃ ，除非另有说明）
静态电源电流与电源电压
（电路
图1中，
PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V ，T
A
=
关断电源电流与温度
（EN = 0V ）
20126104
20126105
开关频率变化与温度
(V
OUT
= 1.5V ，我
OUT
= 200 mA）的
输出电压与电源电压
(V
OUT
= 1.5V)
20126106
20126107
输出电压与温度
(V
OUT
= 1.5V)
输出电压与温度
(V
OUT
= 3.25V)
20126108
20126109
5
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LM3200微型，可调节，降压型DC- DC转换器，旁路模式的射频功率
放大器器
2005年11月
LM3200
微型，可调节，降压型DC- DC转换器
射频功率放大器旁路模式
概述
该LM3200是一个DC-DC转换器用于驱动优化的
从单节锂离子电池的RF功率放大器（PA ） 。它
下2.7V的输入电压5.5V到一个变量的步骤
0.8V至3.6V的输出电压。输出电压被设定
使用模拟输入（Ⅴ
CON
）用于优化的效率
射频功率放大器在不同功率电平。
该LM3200提供了卓越的功能和性能
手机和类似射频功放应用。固定
频率PWM模式最大限度地减少RF干扰。绕行
模式将内部旁路开关电源功放上
直接从电池。 LM3200既有强迫和自动
马蒂奇旁路模式。关断模式将设备关闭
并减少电池电量消耗至0.1 μA （典型值） 。该
LM3200可在一个10引脚无铅的micro SMD封装
年龄。高开关频率（ 2兆赫）允许使用纤巧
表面贴装元件。只有三个小巧的外部
表面贴装元件，电感器和两个陶瓷
电容器。
特点
2 MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）
可变输出电压（ 0.8V至3.6V ）
300毫安最大负载能力（ PWM模式）
500毫安最大负载能力（旁路模式）
PWM ，强制和自动旁路模式
高效率（ 96 ％典型值电压为3.6V
IN
, 3.2V
OUT
在120 mA）的
内部同步整流
n
10引脚micro SMD封装
n
电流过载保护
n
热过载保护
n
n
n
n
n
n
n
应用
n
n
n
n
手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型用途
20126101
2005美国国家半导体公司
DS201261
www.national.com
LM3200
连接图
20126102
20126103
顶视图
底部视图
10焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
见NS包装数TLP10NHA
订购信息
订单号
LM3200TL
LM3200TLX
包装标志（注）
XYTT SCUB
XYTT SCUB
供货方式
250个单位，磁带和卷轴
3000单位，磁带和卷轴
注意：
包装标志“ XY ”表示的日期代码。 “ TT ”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。
引脚说明
针＃
A1
B1
C1
D1
D2
D3
C3
名字
V
DD
V
CON
FB
BYP
EN
保护地
SW
描述
模拟电源输入。 0.1μF陶瓷电容，建议放在尽可能接近这个
销越好。 （图
1)
电压控制模拟输入。 V
CON
控制V
OUT
在PWM模式。设置： V
OUT
= 3× V
CON 。
别
离开浮动。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。 （图
1)
绕行。用这个数字来输入命令旁路模式运行。集BYP低正常
操作。
使能输入。设置此数字输入输入电压后高
＆ GT ;
2.7V的正常运行。对于关机，设置
低。
电源地
开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关峰值
限流规格LM3200的。
电源电压输入到内部PFET开关和旁路FET 。 （图
1)
旁路FET的漏极。连接到所述输出电容器。 （图
1)
不要离开浮动。
模拟和控制地面
B3
A3
A2
PV
IN
BYPOUT
SGND
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2
LM3200
电气特性
（注2,7）中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度范围（ -25C
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，否则
规范适用于与LM3200 ： PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V 。 （续）
符号
V
IL
I
针
收益
I
CON
参数
逻辑低电平输入
门槛EN ， BYP
引脚下拉电流EN ， BYP = 3.6V
为EN ， BYP
V
CON
到V
OUT
收益
V
CON
输入漏
当前
V
CON
= 1.2V
5
3
10
条件
民
典型值
最大
0.4
10
单位
V
A
V/V
nA
下面的规格表中的条目由设计保证，如果元件值
在典型的应用电路中使用。
这些参数不是由生产测试保证。
符号
参数
条件
V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7 F,
R
负载
= 15
L = 2.2 uH容
V
CON
= 1V,
测试频率为100千赫
V
IN
= 3.6V, V
CON
= 0.267V,
C
OUT
= 4.7 μF ，R
负载
= 15
BYP =低到高
（注10 ）
10
15
民
典型值
25
最大
单位
s
系统特点
T
响应
时间V
OUT
上升
0.8V至3.4V的
PWM模式
C
CON
T
ON_BYP
V
CON
输入
电容
旁路FET导通
时间在旁路模式
自动旁路检测
延迟时间
15
pF
30
s
T
BYP
20
s
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
=
130℃ （典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）机器模型是一个200 pF的
电容直接排入每个引脚。美国国家半导体公司建议所有集成电路与适当的预防措施进行处理。如果不
遵守适当的ESD处理技术可能导致损坏。
注5 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
X P
D- MAX
).
注6 ：
结点至环境热阻（ θ
JA
）取自热测量，阐述了JEDEC条件和指引下进行
标准JESD51-7 。一个1" X 1" ， 4层， 1.5盎司的Cu板被用于测量。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注8 ：
的LM3200设计用于移动电话应用中，导通上电后，由系统控制器和控制，其中对于一个要求
小封装尺寸否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定（ UVLO ）电路。因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平
直到输入电压大于2.7V 。
注9 ：
过电压保护（ OVP ）阈值为标称VOUT以上的电压，其中OVP比较器关闭PFET开关，而在PWM模式。
注10 ：
V
IN
进行比较，以设定的输出电压（V
OUT
） 。当V
IN
–V
OUT
低于V
BYPASS
比吨长
BYP
旁路FET导通和
开关场效应管关闭。这就是所谓的旁路模式。旁路模式退出时， V
IN
–V
OUT
超过V
BYPASS +
比吨长
BYP
和PWM模式的回报。
该滞后的旁路检测阈值V
BYPASS +
– V
绕行
- 永远是积极的，将约为200 mV （典型值） 。
注11 ：
关断电流包括PFET和旁路FET的漏电流。
注12 ：
电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期电流限制被激活） 。
参见数据表的曲线闭环数据及其变化的问候与电源电压和温度。闭环电流限制峰值电感电流
在应用电路中通过增加输出电流，直到输出电压降低10％进行测定。
注13 ：
旁路FET的电流限制被定义为负载电流在该FB电压比V 1V下
IN
.
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4
LM3200
典型性能特性
25℃ ，除非另有说明）
静态电源电流与电源电压
（电路
图1中，
PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V ，T
A
=
关断电源电流与温度
（EN = 0V ）
20126104
20126105
开关频率变化与温度
(V
OUT
= 1.5V ，我
OUT
= 200 mA）的
输出电压与电源电压
(V
OUT
= 1.5V)
20126106
20126107
输出电压与温度
(V
OUT
= 1.5V)
输出电压与温度
(V
OUT
= 3.25V)
20126108
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