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CY7C1461AV33
CY7C1463AV33
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度-65 ...............................
C
+150
C
环境温度与
电源采用......................................... -55
C
+125
C
在V电源电压
DD
相对于GND .....- 0.5 V至4.6 V
在V电源电压
DDQ
相对于GND .... -0.5V至+ V
DD
直流电压应用到输出的
在三州........................................- 0.5 V到V
DDQ
+ 0.5 V
直流输入电压................................ -0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压
（ MIL -STD -883方法3015 ） ..................... > 2001年V
闩锁电流............................................... ... > 200毫安
工作范围
范围
环境
温度
V
DD
3.3 V– 5% /
+ 10%
V
DDQ
2.5 V - 5％
V
DD
商业0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+85°C
电气特性
在整个工作范围
参数
[10, 11]
描述
V
DD
电源电压
V
DDQ
I / O电源电压
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
测试条件
民
3.135
3.135
2.375
2.4
2.0
–
–
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
–30
–
–5
–
–5
–
–
最大
单位
3.6
V
V
DD
V
2.625
V
–
V
–
V
0.4
V
0.4
V
V
DD
+ 0.3 V
V
V
DD
+ 0.3 V
V
0.8
V
0.7
V
5
A
–
5
–
30
5
310
180
A
A
A
A
A
mA
mA
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
输出高电压
对于3.3 V的I / O，I
OH
= -4.0毫安
对于2.5 V的I / O，I
OH
= -1.0毫安
输出低电压
对于3.3 V的I / O，I
OL
= 8.0毫安
对于2.5 V的I / O，I
OL
= 1.0毫安
输入高电压
[10]
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
[10]
输入低电压
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
输入漏电流除ZZ GND
V
I
V
DDQ
和MODE
模式的输入电流
输入= V
SS
ZZ的输入电流
输入= V
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
GND
V
I
V
DDQ ，
输出禁用
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
7.5 ns的周期，
f = f
最大
= 1/t
CYC
133兆赫
V
DD
=最大，设备选中， 7.5 ns的周期，
V
IN
V
IH
或V
IN
V
IL
; f = f
最大
， 133 MHz的
输入开关
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
0.3 V或V
IN
＆ GT ; V
DD
– 0.3 V,
F = 0 ，输入静态
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
0.3 V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3 V
f = f
最大
，输入切换
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
V
DD
- 0.3 V或V
IN
0.3 V,
F = 0 ，输入静态
7.5 ns的周期，
133兆赫
7.5 ns的周期，
133兆赫
7.5 ns的周期，
133兆赫
I
OZ
I
DD
I
SB1
输出漏电流
V
DD
工作电源电流
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
CE自动断电
电流 - TTL输入
I
SB2
–
120
mA
I
SB3
–
180
mA
I
SB4
–
135
mA
笔记
10.过冲： V
IH （AC）的
＆ LT ; V
DD
+ 1.5 V（脉冲宽度小于T
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
白细胞介素（AC）的
> -2 V （脉冲宽度小于T
CYC
/2).
11. T
上电
：假设从0 V线性上升到V
DD （ MIN ）
在200 ms以内。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD
.
文件编号： 38-05356牧师* L
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