VOS615A
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威世半导体
符号
P
SO
I
si
T
S
CTI
40％至60 ％RH下，为1分钟交流测试
V
ISO
V
IOTM
V
IORM
T
AMB
= 25 ° C，V
DC
= 500 V
T
AMB
= 100℃ ，V
DC
= 500 V
R
IO
R
IO
价值
300
200
150
175
3750
6000
565
10
12
10
11
55/110/21
2
5
5
DTI
0.4
mm
mm
mm
V
RMS
V
PEAK
V
PEAK
单位
mW
mA
°C
安全性和绝缘等级
参数
最高安全评级
输出功率安全
输入电流安全
安全温度
漏电起痕指数
绝缘额定参数
最大耐压绝缘电压
最大瞬态电压隔离
最大重复峰值电压隔离
绝缘电阻
绝缘电阻
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
环境（按照标准DIN VDE 0109的污染程度）
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
记
按照IEC 60747-5-5 ， § 7.4.3.8.2 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
55
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
AMB
= 110 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 55 °C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
I
F
= 1毫安
I
F
= 35毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 25毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
1
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
5
6
7
8
9
10
V
F
- 正向电压（ V）
图。 5 - 正向电压与正向电流
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图。 6 - 集电极电流与集电极发射极电压
修订版1.3 ， 17 -APR- 13
文档编号： 85373
4
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