VOS615A
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
P
DISS
I
F
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
DISS
价值
6
70
50
80
7
50
150
单位
V
mW
mA
V
V
mA
mW
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
功耗
正向电流
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试voltage
发射器和检测器之间
总功耗
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(1)
吨≤ 10秒
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
3750
170
- 55至+ 150
- 55至+ 110
125
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
°C
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
P
DISS
- 集电极耗散功率（毫瓦）
160
60
I
F
- 正向电流（mA ）
- 25
0
25
50
75
100
125
140
120
100
80
60
40
20
0
50
40
30
20
10
0
- 25
0
25
50
75
100
125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗与环境温度
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 正向电流与环境温度
修订版1.3 ， 17 -APR- 13
文档编号： 85373
2
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