
TUSB2046B
TUSB2046BI
SLLS413I - 2000年2月 - 修订2013年9月
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EEPROM编程
在SGS汤普森M93C46 EEPROM或同等存储的可编程VID和PID 。当
EEPROM接口使能( EXTMEM = 0 )时, EECLK和EEDATA内部上拉下来( 100
μA)
里面的TUSB2046B 。内部下拉被禁用时, EEPROM接口被禁用
( EXTMEM = 1)。
对EEPROM的编程使用3个16位的位置,如图中
表1中。
连接的端子6
EEPROM的高(ORG = 1 )组织的EEPROM存储器为64 × 16位的字。
表1. EEPROM存储器映射
地址
00000
00001
00010
D15
0
D14
联动
D13
00000
VID高字节
PID高字节
XXXXXXXX
D12–D8
00000
D7–D0
00000000
VID低字节
PID低字节
EEPROM的D和Q信号,必须使用与普通I 1 kΩ电阻连接在一起/ O
操作形成单线总线。系统上电后复位, TUSB2046B进行一次性访问
从EEPROM读出操作,如果EXTMEM终端被拉低,芯片选择(多个)的EEPROM是
连接到系统上电复位。最初, EEDATA终端由TUSB2046B驱动送
起始位(1 ),其后面是读出指令(10)和起始字地址( 00000 ) 。一旦读
在接收指令时,该指令和地址是由EEPROM中,然后将该数据发送到解码
输出移位寄存器。在这一点上,在轮毂停止驱动EEDATA终端和EEPROM开始驱动。
甲虚设(0)比特被输出并在EEPROM中的第3个16位字是用最输出
显著位( MSB)在前。
的输出数据的变化是由时钟对所提供的TUSB2046B上升沿触发
EECLK终端。在SGS汤普森M936C46 EEPROM建议,因为它进入到下一个
通过在内部自动递增地址的存储单元。使用任何的EEPROM必须具有
自动内部地址前进功能。从EEPROM读出数据的三个字后,将
TUSB2046B会将EEPROM接口为高阻抗状态(内部下拉),以允许其他
逻辑共享EEPROM中。 EEPROM的读操作中总结
网络连接gure 10 。
有关更多细节
EEPROM的操作,请参考
SGS汤普森微电子M93C46的Microwire串行总线EEPROM
数据
表。
12
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