TPIC6A595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005B - 1993年4月 - 修订2005年5月
D
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D
低R
DS （ ON）
. . . 1
典型值
输出短路保护
雪崩能量。 。 。 75兆焦耳
八350 - mA的DMOS输出
50 - V开关功能
设备的级联
低功耗
NE包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TPIC6A595是一款单芯片，高电压，
高电流功率逻辑8位移位寄存器
在要求相对系统设计用于
高负载功耗。该器件包含一个内置的
电压钳位感性输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器，螺线管和其他中等电流
租金或高电压负荷。每一个漏极开路
DMOS晶体管具有独立
斩波电流限制电路，以防止
损害在发生短路的情况下。
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
保护地
保护地
RCK
SRCK
DRAIN4
DRAIN5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
DRAIN1
DRAN0
SER IN
V
CC
保护地
保护地
LGND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
DW包装
（ TOP VIEW ）
该器件包含一个8位串行输入，并行输出
7
18
馈送一个8位，D型存储移位寄存器
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8
注册。同时通过移动数据传输，
9
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在SHIFT-的上升沿存储寄存器
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寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器时钟
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（ RCK ）表示。存储寄存器
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SHIFT-时将数据传送到输出缓冲器
寄存器清零（ SRCLR ）为高。当SRCLR是
低，输入移位寄存器清零。当输出
使能（ G）被高举，在输出缓冲器中的所有数据被拉低，所有漏输出关闭。当G被保持
低时，从该存储寄存器的数据是透明的输出缓冲器。串行输出（SER OUT），使得
从移位的数据的级联注册到其他设备。
输出低端，漏极开路DMOS晶体管的50 V额定输出及350 mA的连续片
电流的能力。当在输出缓冲器的数据为低电平时， DMOS晶体管输出关闭。当数据为高电平时，
在DMOS晶体管输出具有灌电流能力。
独立的电源接地（地线）和逻辑接地（ LGND ）终端提供最大的便利系统
灵活性。所有的地线端子内部连接，每个接地端子必须外接
到电源系统接地，以减少寄生阻抗。 LGND之间的单点连接
和PGND必须的方式，降低了逻辑电路和负载电路之间的串扰外部进行。
该TPIC6A595提供散热增强型双列直插式（ NE）封装和宽体表面贴装
（DW ）封装。该TPIC6A595的特点是操作上的工作温度范围
-40 ° C至125°C 。
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
保护地
保护地
保护地
保护地
RCK
SRCK
DRAIN4
DRAIN5
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
20
19
DRAIN1
DRAIN0
SER IN
V
CC
保护地
保护地
保护地
保护地
LGND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年至2005年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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