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TPIC6A595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005A - 1993年4月 - 修订1995年1月
D
D
D
D
D
D
D
低R
DS ( ON)
. . . 1
典型值
输出短路保护
雪崩能量。 。 。 75兆焦耳
八350 - mA的DMOS输出
50 - V开关功能
设备的级联
低功耗
NE包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC6A595是一款单芯片,高电压,
高电流功率逻辑8位移位寄存器
在要求相对系统设计用于
高负载功耗。该器件包含一个内置的
电压钳位感性输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器,螺线管和其他中等电流
租金或高电压负荷。每一个漏极开路
DMOS晶体管具有独立
斩波电流限制电路,以防止
损害在发生短路的情况下。
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
保护地
保护地
RCK
SRCK
DRAIN4
DRAIN5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
DRAIN1
DRAN0
SER IN
V
CC
保护地
保护地
LGND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
DW包装
( TOP VIEW )
19
6
该器件包含一个8位串行输入,并行输出
18
7
馈送一个8位,D型存储移位寄存器
17
8
注册。同时通过移动数据传输,
9
16
在SHIFT-的上升沿存储寄存器
15
10
寄存器时钟( SRCK )和寄存器时钟
11
14
( RCK )表示。存储寄存器
13
12
SHIFT-时将数据传送到输出缓冲器
寄存器清零( SRCLR )为高。当SRCLR是
低,输入移位寄存器清零。当输出
使能( G)被高举,在输出缓冲器中的所有数据被拉低,所有漏输出关闭。当G被保持
低时,从该存储寄存器的数据是透明的输出缓冲器。串行输出(SER OUT),使得
从移位的数据的级联注册到其他设备。
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
保护地
保护地
保护地
保护地
RCK
SRCK
DRAIN4
DRAIN5
1
2
3
4
5
24
23
22
21
20
DRAIN1
DRAIN0
SER IN
V
CC
保护地
保护地
保护地
保护地
LGND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
输出低端,漏极开路DMOS晶体管的50 V额定输出及350 mA的连续片
电流的能力。当在输出缓冲器的数据为低电平时, DMOS晶体管输出关闭。当数据为高电平时,
在DMOS晶体管输出具有灌电流能力。
独立的电源接地(地线)和逻辑接地( LGND )终端提供最大的便利系统
灵活性。所有的地线端子内部连接,每个接地端子必须外接
到电源系统接地,以减少寄生阻抗。 LGND之间的单点连接
和PGND必须的方式,降低了逻辑电路和负载电路之间的串扰外部进行。
该TPIC6A595提供散热增强型双列直插式( NE)封装和宽体表面贴装
(DW )封装。该TPIC6A595的特点是操作上的工作温度范围
- 40 ° C至125°C 。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPIC6A595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005A - 1993年4月 - 修订1995年1月
逻辑符号
G
RCK
SRCLR
SRCK
SER IN
R
EN3
C2
SRG8
C1
1D
2
3
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
2
3
DRAIN7
SER OUT
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
2
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TPIC6A595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005A - 1993年4月 - 修订1995年1月
逻辑图(正逻辑)
G
RCK
SER IN
SRCK
SRCLR
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN0
DRAIN1
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN2
D
C1
CLR
D
C2
电流限制和电荷泵
DRAIN3
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN4
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN5
D
C1
CLR
D
C2
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN6
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN7
SER OUT
保护地
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3
TPIC6A595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005A - 1993年4月 - 修订1995年1月
输入和输出的原理图
典型的串行OUT OF
VCC
VCC
等效每个输入
典型所有排水输出
SER OUT
输入
25 V
12 V
RSENSE
LGND
LGND
LGND
保护地
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值(除非
另有说明)
逻辑电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V
连续的源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
脉冲源极 - 漏极二极管的阳极电流(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
脉冲漏极电流,每路输出,所有输出,我
DN ,
T
A
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1
连续漏电流,每个输出,所有输出,我
DN ,
T
A
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫安
峰值漏极电流,单路输出,T
A
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1
单脉冲雪崩能量E
AS
(参见图6)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75兆焦耳
雪崩电流,我
AS
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有电压值相对于LGND和PGND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到保护接地。
3.脉冲持续时间
100
s
和占空比
2 %.
4.漏极电源电压= 15V,起动结点温度( TJS) = 25℃ ,L = 210 mH为IAS = 600毫安(参见图6) 。
额定功耗表
DW
NE
TC
25°C
额定功率
1750毫瓦
2500毫瓦
降额因子
以上TC = 25°C
14毫瓦/°C的
20毫瓦/°C的
TC = 125°C
额定功率
350毫瓦
500毫瓦
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
TPIC6A595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005A - 1993年4月 - 修订1995年1月
推荐工作条件
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压, VIH
低电平输入电压, VIL
脉冲漏输出电流, TC = 25 ℃, VCC = 5 V (见注3和5 )
建立时间, SER在高SRCK ↑之前, TSU (见图2)
保持时间, SER在高SRCK ↑后,第(见图2)
脉冲持续时间,总重量(参见图2)
工作温度的情况下, TC
4.5
0.85 VCC
0
– 1.8
10
10
20
– 40
125
最大
5.5
VCC
0.15 VCC
0.6
单位
V
V
V
A
ns
ns
ns
°C
电气特性,V
CC
= 5 V ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VSD
VOH
VOL
IIH
IIL
IO (印章)
ICC
ICC ( FRQ )
我( NOM )
ID
漏极至源极击穿
电压
源 - 漏二极管
正向电压
高层次的输出电压,
g
g ,
SER OUT
低级别的输出电压,
g ,
SER OUT
高层次的输入电流
低电平输入电流
输出电流在其中
斩波开始
逻辑电源电流
逻辑电源电流
频率
额定电流
漏极电流,关断状态
电流关断状态
ID = 1毫安
IF = 350 mA时,
IOH = - 20
A
IOH = - 4毫安
IOL = 20
A
IOL = 4毫安
VI = VCC
VI = 0
TC = 25°C ,
见注5和图3和图4
IO = 0,
fSRCK = 5MHz时,
VI = VCC或0 ,
VDS ( ON) = 0.5 V ,
VCC = 5 V ,
VDS = 40 V ,
VDS = 40 V ,
ID = 350 mA时,
ID = 350 mA时,
VI = VCC或0
IO = 0,
CL = 30 pF的,
VCC = 5V ,见图7
我( NOM ) = ID , TC = 85°C ,
见注5 ,第6和7
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
见注5和6
TC = 125°C
与图10和11
TC = 40℃
0.6
0.8
0.5
1.3
350
0.1
0.2
1
1.7
1
5
1.5
2.5
见注3
VCC - 0.1
VCC - 0.5
测试条件
50
0.8
VCC
VCC - 0.2
0
0.2
0.1
0.5
1
–1
1.1
5
1.1
典型值
最大
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
A
RDS ( ON)
(
注:3 。
5.
6.
7.
静态漏源导通状态
漏源导通状态
阻力
ID = 350 mA时,
脉冲持续时间
100
s
和占空比
2%.
技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
这些参数的测量用电压感应触头分开的通电接点。
额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005B - 1993年4月 - 修订2005年5月
D
D
D
D
D
D
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低R
DS ( ON)
. . . 1
典型值
输出短路保护
雪崩能量。 。 。 75兆焦耳
八350 - mA的DMOS输出
50 - V开关功能
设备的级联
低功耗
NE包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC6A595是一款单芯片,高电压,
高电流功率逻辑8位移位寄存器
在要求相对系统设计用于
高负载功耗。该器件包含一个内置的
电压钳位感性输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器,螺线管和其他中等电流
租金或高电压负荷。每一个漏极开路
DMOS晶体管具有独立
斩波电流限制电路,以防止
损害在发生短路的情况下。
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
保护地
保护地
RCK
SRCK
DRAIN4
DRAIN5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
DRAIN1
DRAN0
SER IN
V
CC
保护地
保护地
LGND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
DW包装
( TOP VIEW )
该器件包含一个8位串行输入,并行输出
7
18
馈送一个8位,D型存储移位寄存器
17
8
注册。同时通过移动数据传输,
9
16
在SHIFT-的上升沿存储寄存器
15
10
寄存器时钟( SRCK )和寄存器时钟
11
14
( RCK )表示。存储寄存器
13
12
SHIFT-时将数据传送到输出缓冲器
寄存器清零( SRCLR )为高。当SRCLR是
低,输入移位寄存器清零。当输出
使能( G)被高举,在输出缓冲器中的所有数据被拉低,所有漏输出关闭。当G被保持
低时,从该存储寄存器的数据是透明的输出缓冲器。串行输出(SER OUT),使得
从移位的数据的级联注册到其他设备。
输出低端,漏极开路DMOS晶体管的50 V额定输出及350 mA的连续片
电流的能力。当在输出缓冲器的数据为低电平时, DMOS晶体管输出关闭。当数据为高电平时,
在DMOS晶体管输出具有灌电流能力。
独立的电源接地(地线)和逻辑接地( LGND )终端提供最大的便利系统
灵活性。所有的地线端子内部连接,每个接地端子必须外接
到电源系统接地,以减少寄生阻抗。 LGND之间的单点连接
和PGND必须的方式,降低了逻辑电路和负载电路之间的串扰外部进行。
该TPIC6A595提供散热增强型双列直插式( NE)封装和宽体表面贴装
(DW )封装。该TPIC6A595的特点是操作上的工作温度范围
-40 ° C至125°C 。
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
保护地
保护地
保护地
保护地
RCK
SRCK
DRAIN4
DRAIN5
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
20
19
DRAIN1
DRAIN0
SER IN
V
CC
保护地
保护地
保护地
保护地
LGND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年至2005年,德州仪器
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1
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功率逻辑8位移位寄存器
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逻辑符号
G
RCK
SRCLR
SRCK
SER IN
R
EN3
C2
SRG8
C1
1D
2
3
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
2
3
DRAIN7
SER OUT
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
2
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TPIC6A595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005B - 1993年4月 - 修订2005年5月
逻辑图(正逻辑)
G
RCK
SER IN
SRCK
SRCLR
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN0
DRAIN1
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN2
D
C1
CLR
D
C2
电流限制和电荷泵
DRAIN3
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN4
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN5
D
C1
CLR
D
C2
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN6
D
C1
CLR
D
C2
DRAIN7
SER OUT
保护地
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3
TPIC6A595
功率逻辑8位移位寄存器
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输入和输出的原理图
典型的串行OUT OF
VCC
VCC
等效每个输入
典型所有排水输出
SER OUT
输入
25 V
12 V
RSENSE
LGND
LGND
LGND
保护地
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值(除非
另有说明)
逻辑电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V
连续的源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
脉冲源极 - 漏极二极管的阳极电流(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
脉冲漏极电流,每路输出,所有输出,我
DN ,
T
A
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1
连续漏电流,每个输出,所有输出,我
DN ,
T
A
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫安
峰值漏极电流,单路输出,T
A
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1
单脉冲雪崩能量E
AS
(参见图6)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75兆焦耳
雪崩电流,我
AS
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有电压值相对于LGND和PGND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到保护接地。
3.脉冲持续时间
100
s
和占空比
2 %.
4.漏极电源电压= 15V,起动结点温度( TJS) = 25℃ ,L = 210 mH为IAS = 600毫安(参见图6) 。
额定功耗表
DW
NE
TC
25°C
额定功率
1750毫瓦
2500毫瓦
降额因子
以上TC = 25°C
14毫瓦/°C的
20毫瓦/°C的
TC = 125°C
额定功率
350毫瓦
500毫瓦
4
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS005B - 1993年4月 - 修订2005年5月
推荐工作条件
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压, VIH
低电平输入电压, VIL
脉冲漏输出电流, TC = 25 ℃, VCC = 5 V (见注3和5 )
建立时间, SER在高SRCK ↑之前, TSU (见图2)
保持时间, SER在高SRCK ↑后,第(见图2)
脉冲持续时间,总重量(参见图2)
工作温度的情况下, TC
4.5
0.85 VCC
0
1.8
10
10
20
40
125
最大
5.5
VCC
0.15 VCC
0.6
单位
V
V
V
A
ns
ns
ns
°C
电气特性,V
CC
= 5 V ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VSD
VOH
VOL
IIH
IIL
IO (印章)
ICC
ICC ( FRQ )
我( NOM )
ID
漏极至源极击穿
电压
源 - 漏二极管
正向电压
高层次的输出电压,
SER OUT
低级别的输出电压,
SER OUT
高层次的输入电流
低电平输入电流
输出电流在其中
斩波开始
逻辑电源电流
逻辑电源电流
频率
额定电流
漏极电流,关断状态
ID = 1毫安
IF = 350 mA时,
IOH = - 20
A
IOH = - 4毫安
IOL = 20
A
IOL = 4毫安
VI = VCC
VI = 0
TC = 25°C ,
见注5和图3和图4
IO = 0,
fSRCK = 5MHz时,
VI = VCC或0 ,
VDS ( ON) = 0.5 V ,
VCC = 5 V ,
VDS = 40 V ,
VDS = 40 V ,
ID = 350 mA时,
ID = 350 mA时,
VI = VCC或0
IO = 0,
CL = 30 pF的,
VCC = 5V ,见图7
我( NOM ) = ID , TC = 85°C ,
见注5 ,第6和7
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
见注5和6
TC = 125°C
与图10和11
TC = 40℃
0.6
0.8
0.5
1.3
350
0.1
0.2
1
1.7
1
5
1.5
2.5
见注3
VCC -0.1
VCC -0.5
测试条件
50
0.8
VCC
VCC -0.2
0
0.2
0.1
0.5
1
1
1.1
5
V
A
A
A
mA
mA
mA
A
A
1.1
典型值
最大
单位
V
V
V
RDS ( ON)
注:3 。
5.
6.
7.
静态漏源导通状态
阻力
ID = 350 mA时,
脉冲持续时间
100
s
和占空比
2%.
技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
这些参数的测量用电压感应触头分开的通电接点。
额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
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