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TNETX15AE
地址LOOKUP设备
SPWS041A - 1997年8月 - 修订1997年10月
在推荐工作条件下的工作特性（见注8和图26 ）
EEPROM和MDIO （ MII ）接口
当主机通过串口寄存器（ 0x0A的）驱动的EEPROM接口，输出端子间的副本
的寄存器由OSCIN上升同步比特，并输入寄存器位是设备终端的副本
由OSCIN上升同步。这增加了最大20纳秒的延迟在每个方向上，这是可忽略的
允许的EEPROM的（大约100千赫兹），或者MDIO最大信号变化率的计算（MII
管理）。针对这些接口的定时被设置在该寄存器的位都在软件中设置的速率。有关详细
的EEPROM要求的说明，请参见数据表中的部分问题。有关详细
MII管理接口的说明，请参阅IEEE标准802.3 。
当TNETX15VE是在自动寄存器负载循环驱动的EEPROM中，在所述定时
EEPROM是如图26 。
EEPROM接口时序（ TNETX15AE到EEPROM传输） （见注8 ）
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
fclock
tw(ECLKL)1
tw(ECLKH)1
tw(ECLKH)2
tw(ECLKL)2
td(EDIO)1
td(ECLK)1
td(EDIO)2
td(ECLK)2
td(EDIO)3
时钟频率， ECLK
脉冲持续时间，开始在ECLK低/停止
脉冲持续时间， ECLK开始在高/停止
脉冲持续时间，数据在ECLK高
脉冲持续时间，数据在ECLK低
延迟时间，从ECLK ↑至EDIO ↓ ，启动条件
延迟时间，从EDIO ↓到ECLK ↓ ，启动条件
延迟时间，从ECLK ↓至EDIO ↑ ，数据条件
延迟时间，从EDIO ↑到ECLK ↑ ，数据条件
延迟时间，从OSCIN到EDIO
10.24
10.2
5.1
5.12
5.1
5.1
0
5.1
18
18
参数“
民
最大
98
单位
千赫
s
s
s
s
s
s
s
s
ns
ns
td(ECLK)3
延迟时间，从OSCIN到ECLK
这些参数由设计规定，但未经测试。
注8 ：对于EEPROM接口时序发生与Etest法位设置为0 。
5
EDIO
（输出）
1
ECLK
（输出）
2
6
7
8
有效
3
4
图26. EEPROM接口时序
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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