STM32F103x8 ， STM32F103xB
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8
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表61.文档修订历史记录
日期
01-jun-2007
调整
1
初始版本。
快闪记忆体的大小修改
注9 ，注5 ，注7 ，注7
和
BGA100引脚添加
表5 ：中密度STM32F103xx引脚
定义。图3 ： STM32F103xx性能行LFBGA100 ballout
补充说。
T
HSE
改至T
LSE
in
图23 ：低速外部时钟源
AC时序图。
V
BAT
在远程修改
电源计划。
t
SU （ LSE ）
改至T
SU（ HSE）
in
表22 ： HSE 4-16 MHz振荡器
的特点。
I
DD （ HSI ）
加入到最大值
表24 ： HSI振荡器
的特点。
试样尺寸修改和机器模型中删除
静电
放电（ESD ） 。
改装配件的数量和标准参照更新
STATIC
闭锁。
25 ° C和85°C条件下取出和类名修改
in
表33 ：电气敏感性。
R
PU
和R
PD
最小值和最大值
加入
表35 ： I / O的静态特性。
R
PU
最小值和最大值
加入
表38 ： NRST引脚特性。
图32： I2C总线的AC波形和测量电路
和
图31 ：推荐NRST引脚保护
纠正。
注意事项如下删除
表9，表38 ，表44 。
I
DD
典型值改变
表11：最大电流消耗
在运行模式和休眠模式。表39 ： TIMX特点
修改。
t
刺
, V
REF +
值，T
LAT
和f
TRIG
加入
表46 ： ADC
的特点。
In
表29 ：闪存耐用性和数据保留，
典型
耐用性和数据保留对于T
A
= 85 ℃下加入，数据保持对于T
A
= 25 ℃下除去。
V
BG
改为V
REFINT
in
表12 ：嵌入式内参
电压。
文档标题改变。
控制器区域网络（ CAN）
部分
修改。
图14 ：电源方案
修改。
第1页功能
名单进行了优化。小文的变化。
变化
20-Jul-2007
2
DocID13587版本16
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104
