修订历史
STM32F103x8 ， STM32F103xB
表61.文档修订历史（续）
日期
调整
变化
图2 ：第12页上的时钟树
补充说。
最大的T
J
在给定的值
表8 ：第38页上的热特性。
添加CRC功能（见
CRC（循环冗余校验）计算单元
第9页
和
图11 ：第34页上的存储器映射
对地址）。
I
DD
修改
表16：在典型和最大电流消耗
停止和待机模式。
加
恒指
修改
表24 ：第55页上的HSI振荡器的特性，
注2中删除。
P
D
, T
A
和T
J
加，T
PROG
改性和t值
PROG
说明澄清
in
表28 ：第57页上的闪存特性。
t
RET
修改
表29 ：闪存耐用性和数据保留。
V
NF （ NRST ）
单位纠正
表38 ：在NRST引脚特性
第68页。
表42 ：第72页上的SPI特点
修改。
I
VREF
加入
表46 ：第76页上的ADC性能。
表48 ： ADC精度 - 有限的试验条件
补充说。
表49 ： ADC
准确性
修改。
更新LQFP100封装规格（请参阅
第6节：包装
第81页上的特性） 。
推荐LQFP100 ， LQFP 64 ， LQFP48和VFQFPN36脚印
增加（见
图48 ，图51 ，图55
和
图42）。
第6.2节：第93页上的热特性
修改
第6.2.1节
和
第6.2.2节
补充说。
附录A ：第81页的重要说明
删除。
小文的变化。
图11 ：内存映射
澄清。
In
表29 ：闪存耐用性和数据保留：
– N
结束
测试在整个温度范围内
- 在t指定的循环条件
RET
– t
RET
分修改在T
A
= 55 °C
V
25
， Avg_Slope和T
L
修改
表50 ：TS特点。
CRC功能去掉。
CRC功能重新添加。小文的变化。
第1节：前言
修改。
第2.2节：在整个家族完全兼容
补充说。
I
DD
在T
A
最大= 105 ℃，加入
表16 ：典型和最大电流
消费在停止和待机45页上的模式。
I
DD_VBAT
除去从
表21 ：典型电流消耗
待机模式下47页。
值添加到
表41 ： SCL频率（ fPCLK1 = 36 MHz时， VDD_I2C
= 3.3 V ），第71页。
图33 ： SPI时序图 - 第73页上的从模式和CPHA = 0
修改。
式（1）
纠正。
t
RET
在T
A
= 105℃修改
表29 ：闪存耐力和
第58页上的数据保留。
V
USB
加入
表44 ： USB DC 75页的电气特性。
图56 ： LQFP100 PD最大与TA 95页
修改。
AXX选项添加到
表60 ：订购信息计划96页。
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21-Mar-2008
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22-May-2008
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