APM9932/C
典型特征（续）
P沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.12
-I
D
=6A
导通电阻与结温
1.8
-V
GS
=4.5V
-I
D
=6A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-25
0
25
50
75
100 125
150
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
-V
DS
=4V
-I
D
=1A
电容
2000
Frequency=1MHz
-V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
4
1600
3
电容（pF）
西塞
1200
2
800
科斯
1
400
CRSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2002年10月
8
www.anpec.com.tw
