APM9932/C
典型特征
N沟道
输出特性
20
V
GS
=3,4,5,6,7,8,9,10V
传输特性
20
I
D
- 漏电流（A ）
I
D-
漏电流（ A）
16
V
GS
=2.5V
15
12
10
8
V
GS
=2V
T
J
=125°C
5
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
4
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50
I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.030
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.25
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
4
8
12
16
20
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2002年10月
4
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