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256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
巴士业务
巴士业务
表6 ：公交车运营
注1和2适用于整个表
8位模式
手术
读
写
待机
产量
关闭
RESET
CE ＃ OE ＃ WE＃ RST ＃ V
PP
/ WP ＃
L
L
H
L
X
L
H
X
H
X
H
L
X
H
X
H
H
H
H
L
X
H
3
H
X
X
A [ MAX ： 0 ]
DQ15/A-1
小区地址
命令
地址
X
X
X
DQ [14： 8]
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ [7：0 ]
数据输出
数据输入
4
高-Z
高-Z
高-Z
16位模式
A [最大： 0 ]
小区地址
命令
地址
X
X
X
DQ15/A-1,
DQ [14 ：0]
数据输出
数据输入
4
高-Z
高-Z
高-Z
注意事项：
小于在CE ＃为3ns 1.典型的毛刺， WE＃和RST ＃由设备被忽略，做
不影响公交车运营。
2.高H =逻辑电平（V
IH
） ; L =逻辑低电平（V
IL
） ; X =高或低。
3.如果WP＃为低，则最高或最低的块仍受保护，这取决于
行项目。
发出命令序列或执行数据时， 4时的数据输入是必需的
轮询或块保护。
读
总线读操作从存储单元，寄存器，或CFI空间读取。为了加快
在读操作中，存储器阵列可被读取页模式，其中数据是跨
应受读出并存储在页缓冲区中。
页大小是16个字（ 32个字节），由地址寻址输入A [3：0 ]在x16总线
模式A [ 3 ： 0 ]加上X8总线模式DQ15 / A - 1 。扩展的内存块和CFI
区域不支持网页阅读模式。
一个有效的总线读操作包括设置所需地址的地址输入，
以CE ＃和OE ＃为低，并保持WE＃高。的数据的I / O将输出该值。
（参见AC特性有关时，输出变为有效的细节。 ）
写
总线写操作写入的命令接口。一个有效的总线写操作
首先在地址输入设定所希望的地址。该地址输入是
通过在CE＃或WE ＃的下降沿命令界面锁定，以先到为准
最后。数据I / O的上的CE ＃的上升沿锁存由所述命令接口或
WE＃ ，以先到为准。 OE ＃必须在整个总线写操作期间保持高电平能操作
通报BULLETIN 。 （参见AC特性的时序要求的详细信息。 ）
待机
驱动CE＃高读模式使器件进入待机状态，并且数据的I / O是
高阻抗。为了减小供电电流的待机电源电流（I
CC2
） ，CE ＃必须
在V举行
CC
± 0.3V 。 （见DC特性。 ）
PDF ： 09005aef849b4b09
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