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256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
存储器组织
表4 ：信号说明（续）
名字
V
CC
TYPE
供应
描述
电源电压：
提供读取，编程和擦除操作电源。
命令接口被禁用时， V
CC
< = V
LKO
。这可以防止写操作，从
意外损坏时电，掉电和电源浪涌的数据。如果亲
克/擦除控制器是在此期间，编程或擦除，那么操作中止
和被修改的内容将是无效的。
一个0.1μF的电容被连接到V之间
CC
和V
SS
去耦的电流浪涌
从电源。在PCB走线宽度必须足以携带所需的电流
编程和擦除操作时（见DC特性） 。
I / O电源电压：
提供了电源的I / O引脚，使所有的输出为
从V独立供电
CC
.
地面：
所有V
SS
引脚都必须连接到系统接地。
保留供以后使用：
RFUs应不连接。
V
CCQ
V
SS
俄罗斯足协
供应
供应
–
存储器组织
内存配置
所述主存储器阵列被划分为128KB或64KW均匀的块。
内存映射 - 256Mb的-的2Gb密度
表5 ：块[ 2047 ： 0 ]
块
SIZE
128KB
地址范围（ X8 ）
开始
FFE 0000H
7FE 0000H
3FE 0000H
1FE 0000H
0FE 0000H
07E 0000H
000 0000h
注意：
结束
FFF FFFFh时
7FF FFFFh时
3FF FFFFh时
1FF FFFFh时
0FF FFFFh时
07F FFFFh时
001 FFFFh时
块
SIZE
64KW
地址范围（ X16 ）
开始
7FF 0000H
3FF 0000H
1FF 0000H
0FF 0000H
07F 0000H
03F 0000H
000 0000h
结束
7FF FFFFh时
3FF FFFFh时
1FF FFFFh时
0FF FFFFh时
07F FFFFh时
03F FFFFh时
000 FFFFh时
块
2047
1023
511
255
127
63
0
1. 256Mb的器件= 0-255块; 512 MB的容量=块0-511 ; 1GB设备= 0-1023块;
2GB的设备=块0-2047 ，包括上，下模。
PDF ： 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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