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128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
流程图
图41 ：缓冲编程步骤
开始
写0xE9 ，基地
殖民地地址
（设置）
写字
算-1，碱
殖民地地址;
（ X =字数）
（BP负载1 ）
写数据，
字地址
（ BP负载2 ）
字
在不同的地址
块。
No
X=X-1
是的
No
X = 0?
是的
写数据，
字地址
（确认）
读数据
（ SR数据）
块地址
字
在不同的地址
块。
No
是的
SR7 = ？
1
是的
全状态寄存器
检查（如果需要的话）
缓冲程序
退出
0
数据吗？ 0xD0 ？
No
缓冲程序
完整
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师F 8/11 EN
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