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128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
读操作
发出读ID命令正在积极进行编程或擦除分区
改变了该分区的读取模式，读取ID模式。随后从该分区读
化将直到编程或擦除操作有没有输出设备信息
完成。
表17 ：设备信息
设备信息
设备制造商代码
设备识别码
块锁定状态
阅读CON组fi guration寄存器
扩展配置寄存器
OTP锁定寄存器0
OTP块0 - 厂段
OTP块1 - 用户可编程
段
OTP锁定寄存器1
OTP块2-17
地址总线
分区的基地址+ 00H
分区的基地址+ 01H
座基址+ 02H
分区的基地址+ 05H
分区的基地址+ 06H
分区的基地址+ 80H
分区的基地址+ 81H到84H
分区的基地址+ 85H到88H
分区的基地址+ 89H
分区基址+ 8Ah表示为109H
数据总线
0089h
器件ID
D0 =锁定状态
D1 =锁定休眠状态
配置寄存器的数据
扩展配置寄存器数据
锁定寄存器0数据
工厂编程的数据
用户数据
锁定寄存器1的数据
用户数据
读取CFI
发出读命令CFI地方读取CFI模式的讨论分区。子
序贯读取该分区输出CFI信息。
在讨论分区保持在读取CFI模式，直到一个不同的读命令
发出，或进行编程或擦除操作，或块锁定设置
命令被发出，从而改变读出模式读状态寄存器模式。
在读CFI指令功能独立于V的电压电平
PP
.
发出读CFI命令正在积极进行编程或擦除分区
改变了该分区的读取模式，读取CFI模式。随后从该分区读
直到编程或擦除操作完成化将返回无效数据。
读状态寄存器
发出读状态寄存器命令地方读寻址分区
状态寄存器模式;其它分区不受影响。随后从杆读取
天信输出状态寄存器的信息。
注意：
芯片使能和输出使能，必须切换到更新状态寄存器的数据。
在讨论分区保持在读状态寄存器模式，直到一个不同的读
模式命令发到那个分区。进行编程，擦除或块
锁定操作也改变分区的读取模式，读取状态寄存器模式。
读状态寄存器指令功能的独立的电压电平
在V
PP
.
状态寄存器的内容是有效的，只有当SR [7] = 1 。
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师F 8/11 EN
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