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一般
VLPR模式电流与核心频率
温度= 25 ，V
DD
= 3 ， CACHE =启用，典公寓=闪存，时钟模式= BLPE
400.00E-06
350.00E-06
消耗电流在V
DD
(A)
300.00E-06
250.00E-06
所有的外围CLK盖茨
200.00E-06
全部关闭
所有在
150.00E-06
100.00E-06
50.00E-06
000.00E+00
'1-1
'1-2
'1-2
'1-4
1
2
4
CLK比
Flash的核心
核心频率（MHz ）
图3. VLPR模式电流与核心频率
5.2.6 EMC电磁辐射工作行为
表7. EMC电磁辐射工作行为的64引脚LQFP
包
符号
V
RE1
V
RE2
V
RE3
V
RE4
V
RE_IEC
描述
辐射压，带1
辐射压，带2
辐射压，带3
辐射压，带4
IEC水平
频率
带（兆赫）
0.15–50
50–150
150–500
500–1000
0.15–1000
典型值。
13
15
12
7
M
单位
dBμV的
dBμV的
dBμV的
dBμV的
—
2, 3
笔记
1, 2
1.符合IEC 61967-1标准的决心，
集成电路 - 电磁辐射的测量， 150
kHz至1 GHz的第1部分：一般条件和定义
和IEC标准61967-2 ，
集成电路 - 测量
电磁辐射， 150 kHz至1 GHz的第2部分：辐射发射-TEM细胞和宽带测量
TEM细胞的方法。
而单片机在运行的基本应用程序代码测量了。报告
排放水平是最高测量的发射的值，舍入到下一个整数，从其中的
在每一个频率范围内测量的定向。
KL25子系列数据表数据表，第3版， 2012年9月19日。
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飞思卡尔半导体公司
