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设备架构
t
PD
A
NAND2或
任何组合
逻辑
Y
B
t
PD
=最大值（T
PD（ RR）的
, t
PD （RF）的
, t
PD （FF）
, t
PD （ FR ）
)
其中边缘是适用于
特别是组合电池
VCCA
50%
A， B，C
50%
GND
VCCA
50%
50%
OUT
GND
VCCA
OUT
50%
t
PD
（射频）
图2-4
t
PD
(RR)
t
PD
(FF)
t
PD
（ FR）
GND
50%
组合时序模型和波形
2-4
VI的I O 4 N 4
