LTC3835
应用信息
最关键的频率范围中的反馈环路的。该
输出电压的沉降行为是关系到稳定
闭环系统，它将显示出实际的
整体供应的性能。
第二，更严重的瞬变引起的切换
在负载大（ >1μF ）电源旁路电容器。该
出院旁路电容切实把并行
用C
OUT
，引起V中的快速下降
OUT
。没有可调节
改变其输送的电流足够快，以防止这
在输出电压的突然阶跃变化，如果负载开关
电阻低，它被迅速地驱动。如果比率
C
负载
到C
OUT
大于1:50的开关的上升时间
应控制，以使负载上升时间是有限
大约25
负载
。因此，一个10μF的电容会
需要一个250微秒的上升时间，从而限制充电电流
到200mA左右。
设计实例
作为一个设计实例，假设V
IN
= 12V （标称值） ，V
IN
=
22V （最大） ，V
OUT
= 1.8V ，我
最大
= 5A，和f = 250kHz的。
电感值的选择依据30％的纹波科幻RST
目前的假设。纹波电流的最高值
出现在最大输入电压。扎PLLLPF
引脚连接到GND ，产生250kHz的操作。最低
电感30 ％的纹波电流为：
V
V
I
L
=
OUT
1–
OUT
（六） （L）的
V
IN
一个4.7μH电感器会产生23 ％的纹波电流和
3.3μH将导致33％。峰值电感电流会
最大直流值加一纹波电流的一半，或
5.84A ，为3.3μH值。增大纹波电流的意志
还有助于确保最短接通时间180ns的不
侵犯。最小导通时间发生在马克西妈妈V
IN
:
V
OUT
1.8V
t
开（分钟）
=
=
=
327ns
V
IN （MAX）
F 22V （在250kHz ）
第r
SENSE
电阻值可以通过使用计算
最大电流检测电压特定网络阳离子一些
住宿公差：
R
SENSE
≤
80mV
≈
0.012
5.84A
选择1 ％电阻：R t = 25.5k和R2 = 32.4k产量
1.816V的输出电压。
在顶侧的MOSFET的功耗可以很容易地
估计。选择一个仙童FDS6982S双MOSFET
结果，R
DS （ ON）
= 0.035Ω/0.022Ω, C
磨坊主
= 215pF在
.
最大输入电压， T（估计）= 50℃ ：
P
主
=
1.8V
2
(
5
)
[
1+ (0.005)(50°C – 25°C)
]
22V
5A
(
0.035
)
+
(
22V
)
2
(
4
)(
215pF
)
2
1
1
+
5 – 2.3 2.3
(
300kHz
)
=
332mW
短路到接地会导致折回
电流：
25mV的1
120ns(22V)
=
2.1A
I
SC
=
–
0.01 2
3.3H
带R的典型值
DS （ ON）
和
d
= (0.005/°C)(20) = 0.1.
耗散在下面的MOSFET所产生的功率是：
P
SYNC
=
22V – 1.8V
(
2.1A
)
2
(
1.125
)(
0.022
)
22V
=
100mW
这小于满负载条件下。
C
IN
被选择为至少3A中的一个RMS电流额定值
假设温度仅此通道已打开。 COUT是
选择具有0.02Ω的低输出纹波的ESR 。该
输出纹波在连续模式将是最高的
最大输入电压。输出电压纹波由于
ESR大约是：
V
Oripple
= R
ESR
(I
L
） = 0.02Ω （ 1.67A ） = 33mV
P–P
3835fd
22
