LTC3835
应用信息
4. EXTV
CC
连接到输出衍生升压网络。
对于3.3V等低电压稳压器，效率
收益仍然可以通过连接EXTV实现
CC
为AN
输出电压而得已提升到更高
超过4.7V 。这可以与容性电荷进行
泵在图6中示出。
V
IN
1F
故障条件：电流限制和电流折返
该LTC3835包括电流折返，以帮助极限载荷
当输出短路到地的电流。如果输出
低于其标称输出电平的70％ ，则
最大感应电压逐渐降低，从
为100mV至30mV 。下短路条件下具有非常
低占空比时， LTC3835将开始丢周期
命令来限制短路电流。在这种情况下
底部MOSFET将消散大部分权力，但
比在正常操作较少。短路电流纹波
租金是由最小导通时间t确定
开（分钟）
的
LTC3835 （ ≈180ns ） ，输入电压和电感值：
I
L（ SC ）
= t
开（分钟）
(V
IN
/L)
所得到的短路电流为：
10mV的1
I
SC
=
–
I
L（ SC ）
R
SENSE
2
故障条件：过电压保护（短路器）
该过压保护电路被设计为吹制
当稳压器的输出电压上升时的输入保险丝
比正常水平要高得多。撬棍引起巨大
电流溢流，即烧断保险丝，以防止一
短路的高端MOSFET ，如果发生短路，而控制器
下运行。
比较器监视过压输出
条件。比较器（ OV ）检测到过压故障
大于10％以上的额定输出电压。当
此条件被检测到时，高端MOSFET被关断，并
底部MOSFET导通，直到过压
条件被清除。底部MOSFET保持在
连续地，只要在过压条件
仍然存在;如果V
OUT
返回到安全水平，在正常操作
自动恢复。短路高端MOSFET将导致
高电流条件下会打开系统的保险丝。
开关稳压器将漏水的合理调节
高端MOSFET通过改变占空比，以适应
的泄漏。
C
IN
V
IN
TG1
+
BAT85
0.22F
BAT85
BAT85
V
OUT
LTC3835
VN2222LL
N沟道
R
SENSE
L1
EXTV
CC
SW
BG1
N沟道
保护地
+
C
OUT
3835 F06
图6.电容式电荷泵EXTV
CC
顶边MOSFET驱动器电源（C
B
, D
B
)
外部自举电容
B
连接到升压
引脚提供栅极驱动电压为上部MOSFET。
电容C
B
在功能框图充电
虽然外部二极管D
B
从INTV
CC
当SW引脚
是低的。当上部MOSFET的导通，
司机放置了C
B
在栅极 - 源极电压
的所需的MOSFET 。这增强了MOSFET和
打开上部开关。开关节点电压，SW，
上升到V
IN
和BOOST引脚如下。与上部
MOSFET的导通，升压电压高于输入电压：
V
BOOST
= V
IN
+ V
INTVCC
。升压电容器的值
C
B
需要是100倍的总输入电容的
的上部MOSFET 。的反向击穿
外部肖特基二极管必须大于V
IN （MAX）
.
当调整栅极驱动电平，所述网络连接最终仲裁器是
总输入电流的调节器。如果发生了改变
和输入电流减小，则该效率有
改进。如果在输入电流没有变化，则有
是在效率没有变化。
3835fd
18
