位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第757页 > LTC1871HMSPBF > LTC1871HMSPBF PDF资料 > LTC1871HMSPBF PDF资料2第16页
LTC1871
应用信息
2.0
由MOSFET的升压转换器消耗的功率为：
P
FET
=
I
O（最大值）
1– D
最大
2
ρ
T
归一化导通电阻
1.5
R
DS （ ON）
D
最大
T
1.0
+k
V
O1.85
(
1– D
最大
)
I
O（最大值）
C
RSS
f
0.5
0
–50
50
100
0
结温（ ° C）
150
1871 F11
上面的第一个网络术语公式中代表我
2
R
在该装置的损失，和第二项中，切换
损失。的常数，k = 1.7 ，是成反比的经验因子
相关的栅极驱动电流，并具有维
的1 /电流。
从已知的功率消耗在功率MOSFET ，其
可以使用下面得到的结温
公式：
T
J
= T
A
+ P
FET
R
日（ JA ）
第r
日（ JA ）
在这个等式中所使用通常包括
第r
TH （JC）
该设备加上从热阻
的情况下对环境温度（注册商标
TH （ CA）
） 。此值
的t
J
然后，可以比较原始，假定值
在迭代计算过程中使用。
升压转换器：输出二极管的选择
为了最大限度地提高外汇基金fi效率，低快速开关二极管
正向压降和低反向漏电流需要。输出
在升压转换器的二极管导通电流在
开关的关断时间。峰值反向电压的二极管
必须能承受等于调节器的输出电压。
在正常运行的平均正向电流等于
到的输出电流，峰值电流等于
峰值电感电流。
I
O（最大值）
I
D（峰）
=I
L（峰）
=
1+
2 1– D
最大
由二极管所消耗的功率是：
P
D
= I
O（最大值）
V
D
和二极管结温为：
T
J
= T
A
+ P
D
R
日（ JA ）
第r
日（ JA ）
在这个等式中所使用通常包括
第r
TH （JC）
该设备加上从热阻
董事会对环境温度的外壳。
1871fe
图11.归
DS （ ON）
与温度
选择的另一种方法，其功率MOSFET
用途是检查什么的最大输出电流为一
给定的R
DS （ ON）
由于MOSFET的导通电阻可
在离散值。
1– D
最大
I
O（最大值）
=
V
SENSE （ MAX）
1+
R
DS （ ON）
T
2
并指出这是值得的1 - D
最大
关系
I
O（最大值）
和R
DS （ ON）
可引起升压转换器具有
宽输入范围，体验马克西戏剧性的范围
妈妈的输入和输出电流。此应考虑到
考虑的应用中是非常重要的，以限制
从输入电源吸取的最大电流。
计算功率MOSFET的开关和传导
损耗和结温
为了计算的结温
功率MOSFET ，由设备消耗的功率必须
是已知的。这个功耗的功能
占空比，负载电流和结温
本身（由于正温度COEF音响cient其
R
DS （ ON）
） 。其结果是，一些迭代计算通常是
需要确定一个合理的准确值。自
所述控制器使用MOSFET作为两个开关
和感测元件，应小心以确保
该转换器能够提供所需
在所有工作条件下的负载电流（线电压
和温度） ，而对于最坏情况下的特定网络连接的阳离子
对于V
SENSE （ MAX）
和R用
DS （ ON）
中列出的MOSFET的
制造商的数据手册。
16
