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LTC1871
应用信息
升压转换器：电感磁芯的选择
一旦为L的值是已知的，电感器的类型必须
被选择。高英法fi转换效率一般不能
得到低成本的铁粉芯中的磁心损耗，
强制使用更昂贵的铁素体，钼坡莫合金
或者库尔Mμ
内核。实际铁心损耗是独立核心的
大小为一个固定的电感值，但非常依赖
电感选择。由于电感的增加，核心
亏损下去。不幸的是，增加了电感
要求金属丝的更多的匝数，因此，铜的损失
将增加。通常，有芯之间的折衷
损失，并需要被平衡的铜损失。
铁素体设计，具有非常低的磁芯损耗，并预
ferred在高开关频率，因此设计目标可以
专注于铜损和防止饱和。
铁氧体磁芯材料饱和“硬”，这意味着
电感迅速崩溃时的峰值电流的设计
被超过。这导致电感器的突然增加
纹波电流，因此，输出电压纹波。
Do
不允许该芯饱和！
钼坡莫合金（从磁公司）是一种很不错的，
低成本芯材为环形，但更昂贵
比铁氧体。从同一个合理的妥协
制造商库尔Mμ 。
升压转换器：功率MOSFET选择
功率MOSFET有两个目的，在LTC1871 ：
它代表在电源路径中的主开关元件，
和它的R
DS （ ON）
表示电流传感元件
用于控制环路。为电源的重要参数
MOSFET的包含漏 - 源极击穿电压
（ BV
DSS
） ，阈值电压（V
GS （ TH）
）时，导通电阻
(R
DS （ ON）
）与栅 - 源电压，栅极 - 源极
和栅极 - 漏极电荷（Q
GS
和Q
GD
分别） ，
最大漏极电流（I
D（最大）
）和MOSFET的
热阻（R
TH （JC）
和R
日（ JA ）
).
的栅极驱动电压由5.2V INTV设置
CC
低压降
调节器。因此，逻辑电平阈值的MOSFET
应在最LTC1871应用中使用。如果低输入
从电压运算预计（例如，供电
锂离子电池或3.3V逻辑电源），那么sublogic-
电平阈值的MOSFET应该被使用。
最大电流检测电压（MV ）
密切关注BV
DSS
特定网络阳离子的
相对于在最大实际开关电压的MOSFET
该应用程序。许多逻辑电平器件仅限于30V
或更小，并且交换节点可以在关断的响
在MOSFET因布局寄生效应。检查开关
直接穿过漏极MOSFET的波形和
用实际的PC板布局（而不是源终端
只是在实验室实验电路板！ ）的过度振荡。
在导通时间，开关，控制电路限制了
穿过功率MOSFET最大电压降至约
为150mV （低占空比）。峰值电感电流
因此，仅限于为150mV / R
DS （ ON）
。关系
最大负载电流，占空比和间
R
DS （ ON）
功率MOSFET的是：
R
DS （ ON）
V
SENSE （ MAX）
1+
2
1– D
最大
I
O（最大值）
T
在V
SENSE （ MAX）
期限一般为150mV的低占空比
周期，并在一个工作周期降低到约100mV的
为92％ ，由于斜率补偿，如图10 。
该
ρ
T
长期占的温度COEF网络cient
第r
DS （ ON）
的MOSFET ，它通常是0.4 ％/ ℃。
图11示出归一化R的变化
DS （ ON）
在整个温度范围为典型的功率MOSFET。
200
150
100
50
0
0
0.2
0.5
0.4
占空比
0.8
1.0
1871 F10
图10.最大检测阈值电压随占空比
1871fe
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